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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTD4804NT4G
NTD4804NT4G PDF预览

NTD4804NT4G

更新时间： 2024-01-31 10:15:56
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC
页数 文件大小 规格书
8页 276K
描述
Power MOSFET 30 V, 117 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK

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NTD4804NT4G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：13 weeks风险等级：0.7
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：226796Samacsys Pin Count：4
Samacsys Part Category：TransistorSamacsys Package Category：TO-XXX (Inc. DPAK)
Samacsys Footprint Name：DPAK (SINGLE GAUGE) CASE369CSamacsys Released Date：2016-01-25 14:39:58
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：450 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：117 A
最大漏极电流 (ID)：14.5 A最大漏源导通电阻：0.0055 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：93.75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：230 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTD4804NT4G 数据手册

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NTD4804N  
Power MOSFET  
30 V, 117 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK  
Features  
• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses  
• These are Pb--Free Devices  
http://onsemi.com  
V
R
DS(on)  
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
Applications  
4.0 mΩ @ 10 V  
5.5 mΩ @ 4.5 V  
• CPU Power Delivery  
• DC--DC Converters  
• Low Side Switching  
30 V  
117 A  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Drain--to--Source Voltage  
Gate--to--Source Voltage  
Continuous Drain  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
V
N--Channel  
V
DSS  
G
V
20  
19  
V
GS  
I
A
T
= 25°C  
= 85°C  
= 25°C  
D
A
S
Current (R ) (Note 1)  
θ
JA  
T
A
15  
4
Power Dissipation  
(R ) (Note 1)  
T
A
P
2.5  
W
A
D
θ
JA  
4
Continuous Drain  
Current (R ) (Note 2)  
I
T
A
= 25°C  
= 85°C  
= 25°C  
14.5  
11  
D
θ
JA  
T
A
Steady  
State  
2
1
1
2
3
CASE 369D  
IPAK  
(Straight Lead  
DPAK)  
3
Power Dissipation  
(R ) (Note 2)  
T
A
P
I
1.43  
W
A
D
θ
JA  
CASE 369AD  
3 IPAK  
(Straight Lead)  
CASE 369AA  
DPAK  
(Bent Lead)  
STYLE 2  
Continuous Drain  
T
C
T
C
T
C
= 25°C  
= 85°C  
= 25°C  
117  
91  
D
Current (R  
(Note 1)  
)
θ
JC  
Power Dissipation  
P
93.75  
W
D
(R ) (Note 1)  
θ
JC  
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENTS  
Pulsed Drain Current  
t =10ms  
p
T
A
= 25°C  
= 25°C  
I
230  
45  
A
A
DM  
I
DmaxPkg  
4
4
Drain  
Current Limited by Package  
T
A
4
Drain  
Drain  
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
-- 5 5 t o  
175  
°C  
J
stg  
Source Current (Body Diode)  
Drain to Source dV/dt  
I
78  
6.0  
450  
A
S
dV/dt  
V/ns  
mJ  
Single Pulse Drain--to--Source Avalanche  
E
AS  
2
Energy (V = 24 V, V = 10 V,  
DD  
GS  
Drain  
1
3
1
2
3
L = 1.0 mH, I  
= 30 A, R = 25 Ω)  
L(pk)  
G
Gate Source  
Gate Drain Source  
1
2
3
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
Gate Drain Source  
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
4804N = Device Code  
= Pb--Free Package  
G
ORDERING INFORMATION  
Seedetailedorderingandshippinginformationinthepackage  
dimensions section on page 6 of this data sheet.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
June, 2010 -- Rev. 6  
NTD4804N/D  
12345678

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NTD4804NT4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTD4854NT4G ONSEMI

类似代替

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 Power MOSFET 30 V, 79 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTD4805N ONSEMI

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 		Power MOSFET 30 V, 88 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK
NTD4805N-1G ONSEMI

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 		Power MOSFET 30 V, 88 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK
NTD4805N-35G ONSEMI

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 		Power MOSFET 30 V, 88 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK
NTD4805NT4G ONSEMI

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 		Power MOSFET 30 V, 88 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK
NTD4805NT4G UMW

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 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
NTD4806N ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 76 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK
NTD4806N1G ONSEMI

获取价格

 		11A, 30V, 0.0094ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, CASE 369D-01, DPAK-3
NTD4806N-1G ONSEMI

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 		Power MOSFET 30 V, 76 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK
NTD4806N35G ONSEMI

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 		11A, 30V, 0.0094ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, CASE 369AC-01, 3 IPAK-3
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 		Power MOSFET 30 V, 76 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK

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