生命周期: | Contact Manufacturer | 包装说明: | O-PALF-W2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.70 | 风险等级: | 5.76 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 70 V |
JESD-30 代码: | O-PALF-W2 | 最大非重复峰值正向电流: | 20 A |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
最大输出电流: | 0.3 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 45000 V |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
技术: | AVALANCHE | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NTD4804N | ONSEMI |
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Power MOSFET 30 V, 117 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK | |
NTD4804N-1G | ONSEMI |
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Power MOSFET 30 V, 117 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK | |
NTD4804N-35G | ONSEMI |
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Power MOSFET 30 V, 117 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK | |
NTD4804NT4G | ONSEMI |
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Power MOSFET 30 V, 117 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK | |
NTD4804NT4G | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):30V;持续漏极电流(Id)(在25°C时 | |
NTD4805N | ONSEMI |
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Power MOSFET 30 V, 88 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK | |
NTD4805N-1G | ONSEMI |
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Power MOSFET 30 V, 88 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK | |
NTD4805N-35G | ONSEMI |
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Power MOSFET 30 V, 88 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK | |
NTD4805NT4G | ONSEMI |
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Power MOSFET 30 V, 88 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK | |
NTD4805NT4G | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):30V;持续漏极电流(Id)(在25°C时 |