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NTD4806NT4G

更新时间： 2024-01-15 07:31:04
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
8页 292K
描述
Power MOSFET 30 V, 76 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK

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NTD4806NT4G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：CASE 369C-01, DPAK-3针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.38
雪崩能效等级（Eas）：220 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：79 A最大漏极电流 (ID)：11 A
最大漏源导通电阻：0.0094 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：68 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：150 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

NTD4806NT4G 数据手册

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NTD4806N  
Power MOSFET  
30 V, 76 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK  
Features  
• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses  
• These are Pb--Free Devices  
http://onsemi.com  
V
R
DS(on)  
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
Applications  
6.0 mΩ @ 10 V  
9.4 mΩ @ 4.5 V  
• CPU Power Delivery  
• DC--DC Converters  
• Low Side Switching  
30 V  
76 A  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Drain--to--Source Voltage  
Gate--to--Source Voltage  
Continuous Drain  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
V
N--Channel  
V
DSS  
G
V
20  
14  
V
GS  
I
A
T
= 25°C  
= 85°C  
= 25°C  
D
A
S
4
Current (R ) (Note 1)  
θ
JA  
T
A
11  
4
Power Dissipation  
(R ) (Note 1)  
T
A
P
2.14  
W
A
D
θ
JA  
4
Continuous Drain  
Current (R ) (Note 2)  
I
T
A
= 25°C  
= 85°C  
= 25°C  
11  
8.8  
D
θ
JA  
2
1
T
A
Steady  
State  
1
2
3
3
1
2
3
CASE 369D  
IPAK  
(Straight Lead  
DPAK)  
Power Dissipation  
(R ) (Note 2)  
T
A
P
I
1.33  
W
A
D
θ
JA  
CASE 369AD  
IPAK  
(Straight Lead)  
CASE 369AA  
DPAK  
(Bent Lead)  
STYLE 2  
Continuous Drain  
T
C
T
C
T
C
= 25°C  
= 85°C  
= 25°C  
76  
59  
60  
D
Current (R  
(Note 1)  
)
θ
JC  
Power Dissipation  
P
W
D
(R ) (Note 1)  
θ
JC  
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENTS  
Pulsed Drain Current  
t =10ms  
p
T
A
= 25°C  
= 25°C  
I
150  
45  
A
A
DM  
I
DmaxPkg  
4
Drain  
Current Limited by Package  
T
A
4
4
Drain  
Drain  
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
-- 5 5 t o  
175  
°C  
J
stg  
Source Current (Body Diode)  
Drain to Source dV/dt  
I
50  
6.0  
220  
A
S
dV/dt  
V/ns  
mJ  
Single Pulse Drain--to--Source Avalanche  
E
AS  
2
Energy (V = 24 V, V = 10 V,  
DD  
GS  
1
2
3
Drain  
1
3
L = 1.0 mH, I  
= 21 A, R = 25 Ω)  
Gate Drain Source  
L(pk)  
G
Gate Source  
1
2
3
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
Gate Drain Source  
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
4806N = Device Code  
= Pb--Free Package  
G
ORDERING INFORMATION  
Seedetailedorderingandshippinginformationinthepackage  
dimensions section on page 6 of this data sheet.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
June, 2010 -- Rev. 5  
NTD4806N/D  
12345678

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NTD4806NT4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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