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NTD4404N PDF预览

NTD4404N

更新时间： 2024-11-18 19:42:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 72K
描述
TRANSISTOR 32 A, 24 V, 0.00517 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C-01, DPAK-3, FET General Purpose Power

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NTD4404N 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CASE 369C-01, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.29
雪崩能效等级（Eas）：90 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：24 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A最大漏极电流 (ID)：32 A
最大漏源导通电阻：0.00517 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：78.1 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：96 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTD4404N 数据手册

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NTD4404N  
Power MOSFET  
85 Amps, 24 Volts  
N−Channel DPAK  
Features  
http://onsemi.com  
• Planar HD3e Process for Fast Switching Performance  
85 AMPERES, 24 VOLTS  
• Low R  
to Minimize Conduction Loss  
DS(on)  
• Low C to Minimize Driver Loss  
R
DS(on) = 4.23 mW (Min)  
iss  
• Low Gate Charge  
RDS(on) = 5.17 mW (Max)  
N−Channel  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C Unless otherwise specified)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value Unit  
V
DSS  
24  
V
dc  
V
dc  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
V
GS  
±20  
G
Thermal Resistance − Junction−to−Case  
R
P
1.6  
78.1  
°C/W  
W
q
JC  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
C
D
S
Drain Current  
− Continuous @ T = 25°C, Limited by Package  
I
I
85  
32  
96  
A
A
A
C
D
− Continuous @ T = 25°C, Limited by Wires  
4
A
D
− Single Pulse (t ≤ 10 ms)  
I
p
DM  
4
Thermal Resistance − Junction−to−Ambient  
(Note 1)  
R
52  
°C/W  
q
JA  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
I
2.4  
16  
W
A
2
1
A
D
Drain Current − Continuous @ T = 25°C  
3
1
A
D
2
3
Thermal Resistance − Junction−to−Ambient  
(Note 2)  
R
100  
°C/W  
q
JA  
DPAK  
CASE 369AA  
STYLE 2  
Straight Lead DPAK  
CASE 369D  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
I
1.25  
12  
W
A
A
D
Drain Current − Continuous @ T = 25°C  
STYLE 2  
A
D
Operating and Storage Temperature Range  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
T , T  
−55 to  
150  
°C  
J
stg  
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENTS  
E
AS  
90  
mJ  
4
Energy − Starting T = 25°C  
J
(V = 23 V , V = 10 V , I = 13.4 A ,  
DD  
dc GS  
dc  
L
pk  
1 Gate  
1
3
L = 1 mH, R = 25 W)  
G
YWW  
44  
04N  
2 Drain  
3 Source  
4 Drain  
4
2
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from Case for 10 Seconds  
T
L
260  
°C  
1. When surface mounted to an FR4 board using 1 inch pad size,  
2
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
4404N = Specific Device Code  
(Cu Area 1.127 in ).  
2. When surface mounted to an FR4 board using minimum recommended pad  
2
size, (Cu Area 0.412 in ).  
1
2
3
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
NTD4404N  
NTD4404NT4  
NTD4404N1  
Package  
DPAK  
Shipping  
75 Units/Rail  
2500/Tape & Reel  
75 Units/Rail  
DPAK  
Straight Lead  
DPAK  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003  
1
Publication Order Number:  
October, 2003 − Rev. 4  
NTD4404N/D  
 
12345678

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与NTD4404N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTD4404N1 ROCHESTER

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 		32A, 24V, 0.00517ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369D-01, DPAK-3
NTD4404N1 ONSEMI

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 		TRANSISTOR 32 A, 24 V, 0.00517 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369D-01, DPAK-3, FE
NTD4404NG ONSEMI

获取价格

 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,24V V(BR)DSS,32A I(D),TO-252AA
NTD4404NT4 ONSEMI

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 		32A, 24V, 0.00517ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C-01, DPAK-3
NTD45 EDI

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 		HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS
NTD4804N ONSEMI

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 		Power MOSFET 30 V, 117 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK
NTD4804N-1G ONSEMI

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 		Power MOSFET 30 V, 117 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK
NTD4804N-35G ONSEMI

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 		Power MOSFET 30 V, 117 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK
NTD4804NT4G ONSEMI

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 		Power MOSFET 30 V, 117 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK
NTD4804NT4G UMW

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 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时

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