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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.8 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 70 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 2000 |
| JEDEC-95代码： | TO-39 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 1.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NTD407 | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-8, Metal, 3 |
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| NTD407 | RENESAS |
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5A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-8 |
|
| NTD408 | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-8, Metal, 3 |
|
| NTD409 | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 |
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| NTD40N03R | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 45 Amps, 25 Volts |
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| NTD40N03R-1 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 45 Amps, 25 Volts |
|
| NTD40N03R-1G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 45 Amps, 25 Volts |
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| NTD40N03RG | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 45 Amps, 25 Volts |
|
| NTD40N03RT4 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 45 Amps, 25 Volts |
|
| NTD40N03RT4G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 45 Amps, 25 Volts |
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