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NTD410

更新时间： 2024-11-18 19:57:35

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NTD410 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.5	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	150 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	1500
JEDEC-95代码：	TO-66	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	225
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

To our customers,

Old Company Name in Catalogs and Other Documents

On April 1^st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology

Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both

companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid

Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Renesas Electronics website: http://www.renesas.com

April 1^st, 2010

Renesas Electronics Corporation

Issued by: Renesas Electronics Corporation (http://www.renesas.com)

Send any inquiries to http://www.renesas.com/inquiry.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTD411	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2
NTD412	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 15A I(C) \| TO-3
NTD4302	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 68 Amps, 30 Volts(N−Channel DPAK)
NTD4302/D	ETC	获取价格	Power MOSFET 20 Amps， 30 Volts
NTD4302_10	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 68 A, 30 V, NâChannel DPAK
NTD4302-001G	ONSEMI	获取价格	8.4A, 30V, 0.01ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369D-01, DPAK-3
NTD4302-1	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 68 Amps, 30 Volts(N-Channel DPAK)
NTD4302-1G	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 68 A, 30 V, NâChannel DPAK
NTD4302G	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 68 A, 30 V, NâChannel DPAK
NTD4302T4	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 68 Amps, 30 Volts(N−Channel DPAK)