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NTD30N02T4 PDF预览

NTD30N02T4

更新时间： 2024-11-17 22:13:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
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6页 57K
描述
Power MOSFET 30 Amps, 24 Volts

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NTD30N02T4 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CASE 369C-01, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.12雪崩能效等级（Eas）：50 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：24 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A
最大漏极电流 (ID)：30 A最大漏源导通电阻：0.0145 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：235
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTD30N02T4 数据手册

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NTD30N02  
Power MOSFET  
30 Amps, 24 Volts  
N−Channel DPAK  
Designed for low voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters and power motor controls and bridge  
circuits.  
http://onsemi.com  
Typical Applications  
• Power Supplies  
• Converters  
• Power Motor Controls  
• Bridge Circuits  
30 AMPERES  
24 VOLTS  
DS(on) = 11.2 mW (Typ.)  
R
N−Channel  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Symbol Value Unit  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
Drain Current  
V
24  
Vdc  
Vdc  
Adc  
DSS  
G
V
"20  
GS  
− Continuous @ T = 25°C  
I
30  
100  
A
D
S
− Single Pulse (t v10 µs)  
I
Apk  
W
p
DM  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
75  
MARKING  
DIAGRAM  
A
D
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
150  
°C  
J
stg  
4
4
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
50  
mJ  
Drain  
Energy − Starting T = 25°C  
J
(V = 24 Vdc, V = 10 Vdc,  
2
3
1
DD  
GS  
L = 1.0 mH, I (pk) = 10 A, R = 25 Ω)  
L
G
DPAK  
Thermal Resistance  
− Junction−to−Case  
− Junction−to−Ambient (Note 1)  
− Junction−to−Ambient (Note 2)  
°C/W  
CASE 369C  
(Surface Mount)  
Style 2  
R
R
R
1.65  
67  
120  
θ
JC  
JA  
JA  
θ
θ
2
1
3
Drain  
Gate  
Source  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
T
L
260  
°C  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
D30N02  
Y
WW  
= Device Code  
= Year  
= Work Week  
1. When surface mounted to an FR4 board using 1″ pad size,  
2
(Cu Area 1.127 in ).  
2. When surface mounted to an FR4 board using minimum recommended pad  
2
size, (Cu Area 0.412 in ).  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
DPAK  
Shipping  
NTD30N02  
75 Units/Rail  
2500 Tape & Reel  
NTD30N02T4  
DPAK  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
March, 2004 − Rev. 2  
NTD30N02/D  
 
123456

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NTD30N02T4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTD30N02G ONSEMI

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