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NTD32N06L/D

更新时间： 2024-02-19 15:34:27
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8页 61K
描述
Power MOSFET 32 Amps， 60 Volts， Logic Level

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NTD32N06L/D 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, CASE 369C-01, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.13其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：313 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：32 A最大漏极电流 (ID)：32 A
最大漏源导通电阻：0.028 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：93.75 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：90 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTD32N06L/D 数据手册

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NTD32N06L  
Power MOSFET  
32 Amps, 60 Volts, Logic Level  
N–Channel DPAK  
Designed for low voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters and power motor controls and bridge  
circuits.  
http://onsemi.com  
Features  
32 AMPERES  
60 VOLTS  
• Smaller Package than MTB30N06VL  
• Lower R  
• Lower V  
• Lower Total Gate Charge  
• Lower and Tighter V  
DS(on)  
DS(on)  
R
= 28 mΩ  
DS(on)  
SD  
N–Channel  
• Lower Diode Reverse Recovery Time  
D
• Lower Reverse Recovery Stored Charge  
Typical Applications  
• Power Supplies  
• Converters  
G
• Power Motor Controls  
• Bridge Circuits  
S
MARKING  
DIAGRAM  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Symbol Value Unit  
Drain–to–Source Voltage  
V
60  
60  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
4
DSS  
DGR  
YWW  
NTD  
32N06L  
CASE 369A  
DPAK  
STYLE 2  
Drain–to–Gate Voltage (R  
= 10 MΩ)  
V
GS  
2
3
Gate–to–Source Voltage  
– Continuous  
1
V
V
"15  
"20  
GS  
GS  
– Non–Repetitive (t v10 ms)  
p
Drain Current  
NTD32N06L = Device Code  
– Continuous @ T = 25°C  
I
I
32  
22  
90  
Adc  
Y
WW  
T
= Year  
= Work Week  
= MOSFET  
A
D
D
– Continuous @ T = 100°C  
A
– Single Pulse (t v10 µs)  
I
Apk  
W
p
DM  
P
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
93.75  
0.625 W/°C  
2.88  
1.5  
A
D
Derate above 25°C  
PIN ASSIGNMENT  
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 1.)  
W
W
A
4
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 2.)  
A
Drain  
Operating and Storage Temperature Range  
Single Pulse Drain–to–Source Avalanche  
T , T  
stg  
–55 to  
+175  
°C  
J
E
AS  
313  
mJ  
Energy – Starting T = 25°C (Note 3.)  
J
(V  
I
= 50 Vdc, V  
= 25 A, V  
DS  
= 5 Vdc, L = 1.0 mH,  
DD  
L(pk)  
GS  
= 60 Vdc, R = 25 Ω)  
1
Gate  
3
G
2
Source  
Drain  
Thermal Resistance  
– Junction–to–Case  
°C/W  
°C  
R
θJC  
R
θJA  
R
θJA  
1.6  
52  
100  
– Junction–to–Ambient (Note 1.)  
– Junction–to–Ambient (Note 2.)  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
DPAK  
Shipping  
75 Units/Rail  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
L
NTD32N06L  
1. When surface mounted to an FR4 board using 1″ pad size,  
NTD32N06L–1  
NTD32N06LT4  
DPAK  
75 Units/Rail  
2
(Cu Area 1.127 in ).  
2. When surface mounted to an FR4 board using minimum recommended pad  
DPAK  
2500 Tape & Reel  
2
size, (Cu Area 0.412 in ).  
3. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
March, 2001 – Rev. 0  
NTD32N06L/D  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTD32N06L-001 ONSEMI

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