5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NTD30N02G
NTD30N02G PDF预览

NTD30N02G

更新时间： 2023-09-03 20:29:41
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 225K
描述
N Channel DPAK MOSFET 30 Amps, 24 Volts

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTD30N02G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：LEAD FREE, CASE 369C-01, DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.14雪崩能效等级（Eas）：50 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：24 V最大漏极电流 (ID)：30 A
最大漏源导通电阻：0.0145 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTD30N02G 数据手册

 浏览型号NTD30N02G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTD30N02G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTD30N02G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTD30N02G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NTD30N02G的Datasheet PDF文件第6页 
NTD30N02  
Power MOSFET  
30 Amps, 24 Volts  
N−Channel DPAK  
Designed for low voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters and power motor controls and bridge  
circuits.  
http://onsemi.com  
30 AMPERES  
24 VOLTS  
Features  
RDS(on) = 11.2 mW (Typ.)  
• Pb−Free Packages are Available  
Typical Applications  
• Power Supplies  
• Converters  
• Power Motor Controls  
• Bridge Circuits  
N−Channel  
D
G
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
S
Rating  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value Unit  
MARKING  
DIAGRAM  
V
24  
Vdc  
Vdc  
Adc  
DSS  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
V
"20  
GS  
4
Drain Current  
4
Drain  
− Continuous @ T = 25°C  
I
D
30  
100  
A
− Single Pulse (t v10 ms)  
I
Apk  
W
p
DM  
2
1
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
P
75  
A
D
3
T , T  
−55 to  
150  
°C  
J
stg  
DPAK  
CASE 369C  
STYLE 2  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
50  
mJ  
2
Energy − Starting T = 25°C  
J
1
3
Drain  
(V = 24 Vdc, V = 10 Vdc,  
DD  
GS  
Gate  
Source  
L = 1.0 mH, I (pk) = 10 A, R = 25 W)  
L
G
D30N02 = Device Code  
Thermal Resistance  
°C/W  
Y
= Year  
− Junction−to−Case  
R
R
R
1.65  
67  
120  
q
JC  
JA  
JA  
− Junction−to−Ambient (Note 1)  
− Junction−to−Ambient (Note 2)  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Device  
q
q
Maximum Lead Temperature for Soldering  
T
L
260  
°C  
ORDERING INFORMATION  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
†
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits  
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur  
and reliability may be affected.  
Device  
Package  
Shipping  
NTD30N02  
DPAK  
75 Units/Rail  
NTD30N02G  
DPAK  
(Pb−Free)  
75 Units/Rail  
1. When surface mounted to an FR4 board using 1 in. pad size,  
(Cu Area 1.127 sq in).  
2. When surface mounted to an FR4 board using minimum recommended pad  
size, (Cu Area 0.412 sq in).  
NTD30N02T4  
DPAK  
2500 Tape & Reel  
2500 Tape & Reel  
NTD30N02T4G  
DPAK  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
February, 2006 − Rev. 3  
NTD30N02/D  
123456

中文翻译

下载PDF

NTD30N02G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTD30N02T4 ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 30 Amps, 24 Volts

与NTD30N02G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTD30N02T4 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 Amps, 24 Volts
NTD30N02T4 ROCHESTER

获取价格

 		30A, 24V, 0.0145ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C-01, DPAK-3
NTD30N02T4G ROCHESTER

获取价格

 		30A, 24V, 0.0145ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369C-01, DPAK-3
NTD32N06 ONSEMI

获取价格

 		32 Amps, 60 Volts, N−Channel DPAK
NTD32N06/D ETC

获取价格

 		Power MOSFET 32 Amps， 60 Volts
NTD32N06-1 ONSEMI

获取价格

 		32 Amps, 60 Volts, N−Channel DPAK
NTD32N06-1G ONSEMI

获取价格

 		32 Amps, 60 Volts, N−Channel DPAK
NTD32N06G ONSEMI

获取价格

 		32 Amps, 60 Volts, N−Channel DPAK
NTD32N06L ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 32 Amps, 60 Volts, Logic Level(N−Channel DPAK)
NTD32N06L/D ETC

获取价格

 		Power MOSFET 32 Amps， 60 Volts， Logic Level

与NTD30N02G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证