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NTD30N02T4

更新时间: 2024-11-02 20:00:07
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罗彻斯特 - ROCHESTER 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 812K
描述
30A, 24V, 0.0145ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C-01, DPAK-3

NTD30N02T4 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:CASE 369C-01, DPAK-3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.14雪崩能效等级(Eas):50 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:24 V最大漏极电流 (ID):30 A
最大漏源导通电阻:0.0145 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):235
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):100 A
认证状态:COMMERCIAL表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

NTD30N02T4 数据手册

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