是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | CASE 369C-01, DPAK-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.14 | 雪崩能效等级(Eas): | 50 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 24 V | 最大漏极电流 (ID): | 30 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0145 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e0 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 235 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 100 A |
认证状态: | COMMERCIAL | 表面贴装: | YES |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NTD30N02T4G | ROCHESTER |
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30A, 24V, 0.0145ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369C-01, DPAK-3 | |
NTD32N06 | ONSEMI |
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32 Amps, 60 Volts, N−Channel DPAK | |
NTD32N06/D | ETC |
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Power MOSFET 32 Amps, 60 Volts | |
NTD32N06-1 | ONSEMI |
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32 Amps, 60 Volts, N−Channel DPAK | |
NTD32N06-1G | ONSEMI |
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32 Amps, 60 Volts, N−Channel DPAK | |
NTD32N06G | ONSEMI |
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32 Amps, 60 Volts, N−Channel DPAK | |
NTD32N06L | ONSEMI |
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Power MOSFET 32 Amps, 60 Volts, Logic Level(N−Channel DPAK) | |
NTD32N06L/D | ETC |
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Power MOSFET 32 Amps, 60 Volts, Logic Level | |
NTD32N06L-001 | ONSEMI |
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Power MOSFET 32 Amps, 60 Volts | |
NTD32N06L-1 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 32 Amps, 60 Volts, Logic Level(N-Channel DPAK) |