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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTD20N06T4G
NTD20N06T4G PDF预览

NTD20N06T4G

更新时间： 2024-01-31 06:44:44
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC
页数 文件大小 规格书
8页 83K
描述
Power MOSFET

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NTD20N06T4G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.16Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：170 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.046 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：NOT SPECIFIED
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTD20N06T4G 数据手册

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NTD20N06  
Power MOSFET  
20 Amps, 60 Volts, N−Channel DPAK  
Designed for low voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters and power motor controls and bridge  
circuits.  
Features  
http://onsemi.com  
• Pb−Free Packages are Available  
• Lower R  
DS(on)  
V
R
TYP  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
• Lower V  
• Lower Capacitances  
DS(on)  
60 V  
37.5 mW  
20 A  
• Lower Total Gate Charge  
N−Channel  
• Lower and Tighter V  
SD  
D
• Lower Diode Reverse Recovery Time  
• Lower Reverse Recovery Stored Charge  
Typical Applications  
• Power Supplies  
G
• Converters  
• Power Motor Controls  
• Bridge Circuits  
S
MARKING  
DIAGRAMS  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
4
Drain−to−Source Voltage  
V
DSS  
60  
60  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Drain  
Drain−to−Gate Voltage (R = 10 MW)  
V
DGR  
GS  
4
Gate−to−Source Voltage  
− Continuous  
DPAK  
CASE 369C  
STYLE 2  
V
V
"20  
"30  
GS  
GS  
− Non−repetitive (t v10 ms)  
p
2
1
Drain Current  
Adc  
Apk  
3
− Continuous @ T = 25°C  
I
D
20  
10  
60  
2
A
1
Gate  
3
− Continuous @ T = 100°C  
I
D
Drain  
A
Source  
− Single Pulse (t v10 ms)  
I
DM  
p
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
60  
W
W/°C  
W
A
D
4
0.40  
1.88  
1.36  
Drain  
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 1)  
A
4
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 2)  
W
A
DPAK−3  
CASE 369D  
STYLE 2  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
J
−55 to  
175  
°C  
stg  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
170  
mJ  
Energy − Starting T = 25°C  
1
J
2
(V = 25 Vdc, V = 10 Vdc,  
DD  
GS  
3
L = 1.0 mH, I (pk) = 18.4 A, V = 60 Vdc)  
L
DS  
1
2
3
Thermal Resistance  
− Junction−to−Case  
− Junction−to−Ambient (Note 1)  
− Junction−to−Ambient (Note 2)  
°C/W  
°C  
Gate Drain Source  
R
R
R
2.5  
80  
110  
q
JC  
JA  
JA  
q
q
20N06  
A
Y
= Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
L
WW  
= Work Week  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits  
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur  
and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
1. When surface mounted to an FR4 board using the minimum recommended  
pad size.  
2. When surface mounted to an FR4 board using the 0.5 sq in drain pad size.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
August, 2004 − Rev. 6  
NTD20N06/D  
 
12345678

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