是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | LEAD FREE, CASE 369D-01, DPAK-3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 5.28 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 288 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 20 A |
最大漏极电流 (ID): | 20 A | 最大漏源导通电阻: | 0.031 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 1.75 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 60 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
NTD20N03L27G | ONSEMI |
完全替代 |
Power MOSFET | |
NTD20N03L27 | ONSEMI |
完全替代 |
Power MOSFET | |
NTD20N03L27T4G | ONSEMI |
类似代替 |
Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NTD20N03L27G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET | |
NTD20N03L27T4 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET | |
NTD20N03L27T4G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET | |
NTD20N03L27T4G | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):30V;持续漏极电流(Id)(在25°C时 | |
NTD20N06 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET | |
NTD20N06/D | ETC |
获取价格 |
Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts | |
NTD20N06-1 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET | |
NTD20N06-1G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET | |
NTD20N06G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET | |
NTD20N06L | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, Logic Level |