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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTD20N03L27G
NTD20N03L27G PDF预览

NTD20N03L27G

更新时间： 2024-02-12 17:36:33
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 63K
描述
Power MOSFET

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NTD20N03L27G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：LEAD FREE, CASE 369C-01, DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.21Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：288 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.031 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：NOT SPECIFIED元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTD20N03L27G 数据手册

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NTD20N03L27  
Power MOSFET  
20 Amps, 30 Volts, N−Channel DPAK  
This logic level vertical power MOSFET is a general purpose part  
that provides the “best of design” available today in a low cost power  
package. Avalanche energy issues make this part an ideal design in.  
The drain−to−source diode has a ideal fast but soft recovery.  
http://onsemi.com  
Features  
20 A, 30 V, RDS(on) = 27 mW  
• Pb−Free Packages are Available  
N−Channel  
• Ultra−Low R , Single Base, Advanced Technology  
DS(on)  
• SPICE Parameters Available  
D
• Diode is Characterized for use in Bridge Circuits  
• I  
and V  
Specified at Elevated Temperatures  
DSS  
DS(on)  
• High Avalanche Energy Specified  
• ESD JEDAC rated HBM Class 1, MM Class A, CDM Class 0  
G
Typical Applications  
S
• Power Supplies  
• Inductive Loads  
• PWM Motor Controls  
MARKING  
DIAGRAMS  
• Replaces MTD20N03L in many Applications  
4
Drain  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
4
DPAK  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
CASE 369C  
STYLE 2  
Drain−to−Source Voltage  
V
30  
30  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
DSS  
2
1
Drain−to−Gate Voltage (R = 1.0 MW)  
V
DGR  
GS  
3
Gate−to−Source Voltage  
− Continuous  
2
1
Gate  
3
V
V
"20  
"24  
GS  
GS  
Drain  
− Non−Repetitive (t v10 ms)  
Source  
p
Drain Current  
4
− Continuous @ T = 25_C  
I
I
20  
16  
60  
Adc  
Apk  
A
D
D
Drain  
− Continuous @ T = 100_C  
A
− Single Pulse (t v10 ms)  
p
4
I
DM  
DPAK−3  
CASE 369D  
STYLE 2  
Total Power Dissipation @ T = 25_C  
P
74  
0.6  
1.75  
W
W/°C  
W
A
D
Derate above 25°C  
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 1)  
C
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
150  
°C  
J
stg  
1
2
3
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
288  
mJ  
1
2
3
Energy − Starting T = 25°C  
J
Gate Drain Source  
(V = 30 Vdc, V = 5 Vdc, L = 1.0 mH,  
DD  
GS  
I
= 24 A, V = 34 Vdc)  
L(pk)  
DS  
20N3L  
A
Y
= Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
Thermal Resistance  
− Junction−to−Case  
°C/W  
R
R
R
1.67  
100  
71.4  
q
JC  
JA  
JA  
− Junction−to−Ambient  
− Junction−to−Ambient (Note 1)  
q
q
WW  
= Work Week  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
°C  
L
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits  
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur  
and reliability may be affected.  
1. When surface mounted to an FR4 board using the minimum recommended  
pad size and repetitive rating; pulse width limited by maximum junction  
temperature.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
August, 2004 − Rev. 2  
NTD20N03L27/D  
 
123456

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