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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTD23N03R-1G
NTD23N03R-1G PDF预览

NTD23N03R-1G

更新时间： 2024-01-04 12:56:17
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 67K
描述
23 Amps, 25 Volts, N−Channel DPAK

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NTD23N03R-1G 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：LEAD FREE, CASE 369D-01, DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.3Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：25 V最大漏极电流 (ID)：3.8 A
最大漏源导通电阻：0.06 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：NOT SPECIFIED元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTD23N03R-1G 数据手册

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NTD23N03R  
Power MOSFET  
23 Amps, 25 Volts, N−Channel DPAK  
Features  
http://onsemi.com  
• Pb−Free Packages are Available  
• Planar HD3e Process for Fast Switching Performance  
V
R
TYP  
I MAX  
D
• Low R  
to Minimize Conduction Loss  
(BR)DSS  
DS(on)  
DS(on)  
• Low C to Minimize Driver Loss  
25 V  
32 mW  
23 A  
iss  
• Low Gate Charge  
• Optimized for High Side Switching Requirements in  
N−CHANNEL  
D
High−Efficiency DC−DC Converters  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise specified)  
J
G
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
25  
Unit  
Vdc  
Vdc  
V
DSS  
S
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
V
GS  
±20  
MARKING  
DIAGRAMS  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
R
P
5.6  
22.3  
°C/W  
W
q
JC  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
C
D
Drain Current  
4
− Continuous @ T = 25°C, Chip  
− Continuous @ T = 25°C,  
I
I
23  
17.1  
A
A
C
D
Drain  
C
D
Limited by Package  
− Single Pulse  
4
DPAK  
CASE 369AA  
(Surface Mounted)  
STYLE 2  
I
40  
76  
A
DM  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
(Note 1)  
R
°C/W  
q
JA  
2
1
3
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Drain Current − Continuous @ T = 25°C  
P
1.64  
4.5  
W
A
A
D
I
A
D
2
1
Gate  
3
Drain  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
(Note 2)  
R
110  
°C/W  
q
JA  
Source  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
I
1.14  
3.8  
W
A
A
D
4
Drain Current − Continuous @ T = 25°C  
A
D
Drain  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
150  
°C  
J
stg  
4
DPAK−3  
CASE 369D  
(Straight Lead)  
STYLE 2  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
L
260  
°C  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits  
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur  
and reliability may be affected.  
1
2
3
1
2
3
Gate Drain Source  
1. When surface mounted to an FR4 board using 0.5 sq in pad size.  
2. When surface mounted to an FR4 board using minimum recommended pad  
size.  
T23N03  
A
Y
= Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
WW  
= Work Week  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
August, 2004 − Rev. 4  
NTD23N03R/D  
 
12345678

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NTD23N03R-1G 替代型号

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 		暂无描述
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