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NTD20N06/D

更新时间： 2024-01-24 10:18:41
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其他 - ETC /
页数 文件大小 规格书
4页 49K
描述
Power MOSFET 20 Amps， 60 Volts

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NTD20N06/D 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.85雪崩能效等级（Eas）：128 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.048 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTD20N06/D 数据手册

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NTD20N06  
Advance Information  
Power MOSFET  
20 Amps, 60 Volts  
N–Channel DPAK  
Designed for low voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters and power motor controls and bridge  
circuits.  
http://onsemi.com  
20 AMPERES  
60 VOLTS  
Features  
• Lower R  
• Lower V  
• Lower Capacitances  
• Lower Total Gate Charge  
• Lower and Tighter V  
DS(on)  
DS(on)  
R
= 46 mΩ  
DS(on)  
N–Channel  
D
SD  
• Lower Diode Reverse Recovery Time  
• Lower Reverse Recovery Stored Charge  
Typical Applications  
G
• Power Supplies  
• Converters  
• Power Motor Controls  
• Bridge Circuits  
4
S
4
2
3
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
1
J
1
2
3
Rating  
Symbol Value Unit  
CASE 369A  
DPAK  
(Bent Lead)  
STYLE 2  
CASE 369  
DPAK  
(Straight Lead)  
STYLE 2  
Drain–to–Source Voltage  
V
60  
60  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
DSS  
DGR  
Drain–to–Gate Voltage (R  
= 10 MΩ)  
V
GS  
Gate–to–Source Voltage  
– Continuous  
V
V
"20  
"30  
GS  
GS  
NTD20N06  
= Device Code  
= Year  
= Work Week  
– Non–repetitive (t v10 ms)  
p
Y
Drain Current  
– Continuous @ T = 25°C  
Adc  
Apk  
WW  
I
I
20  
10  
60  
A
D
D
– Continuous @ T = 100°C  
A
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENTS  
– Single Pulse (t v10 µs)  
I
p
DM  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 1.)  
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 2.)  
P
60  
W
W/°C  
W
A
D
4
0.40  
1.88  
1.36  
Drain  
A
A
4
W
YWW  
NTD  
20N06  
Drain  
Operating and Storage Temperature Range  
Single Pulse Drain–to–Source Avalanche  
T , T  
J stg  
–55 to  
175  
°C  
YWW  
NTD  
20N06  
E
170  
mJ  
AS  
Energy – Starting T = 25°C  
J
GS  
(V  
= 25 Vdc, V  
= 10 Vdc,  
DD  
L = 1.0 mH, I (pk) = 18.4 A, V  
L
= 60 Vdc)  
DS  
1
2
3
1
Gate  
3
Thermal Resistance  
– Junction–to–Case  
– Junction–to–Ambient (Note 1.)  
– Junction–to–Ambient (Note 2.)  
°C/W  
°C  
Gate Drain Source  
Source  
R
R
R
2.5  
80  
110  
θJC  
θJA  
θJA  
2
Drain  
ORDERING INFORMATION  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
L
260  
Device  
Package  
Shipping  
75 Units/Rail  
1. When surface mounted to an FR4 board using 1″ pad size,  
NTD20N06  
DPAK  
2
(Cu Area 1.127 in ).  
DPAK  
Straight Lead  
2. When surface mounted to an FR4 board using the minimum recommended  
pad size, (Cu Area 0.412 in ).  
This document contains information on a new product. Specifications and information  
NTD20N06–1  
NTD20N06T4  
75 Units/Rail  
2
DPAK  
2500 Tape & Reel  
herein are subject to change without notice.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
March, 2001 – Rev. 3  
NTD20N06/D  
1234

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