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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.17 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 304 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 15.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.15 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 50 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NTD20P06LT4 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET −60 V, −15.5 A, Single P−Channel, DPAK |
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| NTD20P06LT4G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET −60 V, −15.5 A, Single P−Channel, DPAK |
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| NTD20P06LT4G | ROCHESTER |
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15.5A, 60V, 0.15ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369C-01, |
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| NTD23N03R | ONSEMI |
获取价格 |
23 Amps, 25 Volts, N−Channel DPAK |
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| NTD23N03R-1 | ONSEMI |
获取价格 |
23 Amps, 25 Volts, N−Channel DPAK |
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| NTD23N03R-1G | ONSEMI |
获取价格 |
23 Amps, 25 Volts, N−Channel DPAK |
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| NTD23N03RG | ONSEMI |
获取价格 |
23 Amps, 25 Volts, N−Channel DPAK |
|
| NTD23N03RT4 | ONSEMI |
获取价格 |
23 Amps, 25 Volts, N−Channel DPAK |
|
| NTD23N03RT4G | ONSEMI |
获取价格 |
23 Amps, 25 Volts, N−Channel DPAK |
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| NTD2405 | CRYDOM |
获取价格 |
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