5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NTD20N03L27T4
NTD20N03L27T4 PDF预览

NTD20N03L27T4

更新时间： 2024-02-08 23:47:04
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 63K
描述
Power MOSFET

阅读下载

获取价格

NTD20N03L27T4 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CASE 369C-01, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.18其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：288 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.031 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.75 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTD20N03L27T4 数据手册

 浏览型号NTD20N03L27T4的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTD20N03L27T4的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTD20N03L27T4的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTD20N03L27T4的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NTD20N03L27T4的Datasheet PDF文件第6页 
NTD20N03L27  
Power MOSFET  
20 Amps, 30 Volts, N−Channel DPAK  
This logic level vertical power MOSFET is a general purpose part  
that provides the “best of design” available today in a low cost power  
package. Avalanche energy issues make this part an ideal design in.  
The drain−to−source diode has a ideal fast but soft recovery.  
http://onsemi.com  
Features  
20 A, 30 V, RDS(on) = 27 mW  
• Pb−Free Packages are Available  
N−Channel  
• Ultra−Low R , Single Base, Advanced Technology  
DS(on)  
• SPICE Parameters Available  
D
• Diode is Characterized for use in Bridge Circuits  
• I  
and V  
Specified at Elevated Temperatures  
DSS  
DS(on)  
• High Avalanche Energy Specified  
• ESD JEDAC rated HBM Class 1, MM Class A, CDM Class 0  
G
Typical Applications  
S
• Power Supplies  
• Inductive Loads  
• PWM Motor Controls  
MARKING  
DIAGRAMS  
• Replaces MTD20N03L in many Applications  
4
Drain  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
4
DPAK  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
CASE 369C  
STYLE 2  
Drain−to−Source Voltage  
V
30  
30  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
DSS  
2
1
Drain−to−Gate Voltage (R = 1.0 MW)  
V
DGR  
GS  
3
Gate−to−Source Voltage  
− Continuous  
2
1
Gate  
3
V
V
"20  
"24  
GS  
GS  
Drain  
− Non−Repetitive (t v10 ms)  
Source  
p
Drain Current  
4
− Continuous @ T = 25_C  
I
I
20  
16  
60  
Adc  
Apk  
A
D
D
Drain  
− Continuous @ T = 100_C  
A
− Single Pulse (t v10 ms)  
p
4
I
DM  
DPAK−3  
CASE 369D  
STYLE 2  
Total Power Dissipation @ T = 25_C  
P
74  
0.6  
1.75  
W
W/°C  
W
A
D
Derate above 25°C  
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 1)  
C
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
150  
°C  
J
stg  
1
2
3
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
288  
mJ  
1
2
3
Energy − Starting T = 25°C  
J
Gate Drain Source  
(V = 30 Vdc, V = 5 Vdc, L = 1.0 mH,  
DD  
GS  
I
= 24 A, V = 34 Vdc)  
L(pk)  
DS  
20N3L  
A
Y
= Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
Thermal Resistance  
− Junction−to−Case  
°C/W  
R
R
R
1.67  
100  
71.4  
q
JC  
JA  
JA  
− Junction−to−Ambient  
− Junction−to−Ambient (Note 1)  
q
q
WW  
= Work Week  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
°C  
L
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits  
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur  
and reliability may be affected.  
1. When surface mounted to an FR4 board using the minimum recommended  
pad size and repetitive rating; pulse width limited by maximum junction  
temperature.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
August, 2004 − Rev. 2  
NTD20N03L27/D  
 
123456

下载PDF

与NTD20N03L27T4相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
NTD20N03L27T4G ONSEMI Power MOSFET

获取价格
NTD20N03L27T4G UMW 种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时

获取价格
NTD20N06 ONSEMI Power MOSFET

获取价格
NTD20N06/D ETC Power MOSFET 20 Amps， 60 Volts

获取价格
NTD20N06-1 ONSEMI Power MOSFET

获取价格
NTD20N06-1G ONSEMI Power MOSFET

获取价格

与NTD20N03L27T4相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证