5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NTB5860NT4G
NTB5860NT4G PDF预览

NTB5860NT4G

更新时间： 2024-11-14 12:22:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
7页 123K
描述
N-Channel Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTB5860NT4G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 221A-09, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.23雪崩能效等级（Eas）：800 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：220 A
最大漏极电流 (ID)：103 A最大漏源导通电阻：0.003 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：283 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：520 A子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTB5860NT4G 数据手册

 浏览型号NTB5860NT4G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTB5860NT4G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTB5860NT4G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTB5860NT4G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NTB5860NT4G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NTB5860NT4G的Datasheet PDF文件第7页 
NTB5860N, NTP5860N,  
NVB5860N  
N-Channel Power MOSFET  
60 V, 220 A, 3.0 mW  
Features  
http://onsemi.com  
• Low R  
DS(on)  
• High Current Capability  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
• 100% Avalanche Tested  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free and are RoHS Compliant  
60 V  
3.0 mW @ 10 V  
220 A  
• NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101  
Qualified and PPAP Capable  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C Unless otherwise specified)  
J
G
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
V
V
DSS  
S
N−CHANNEL MOSFET  
V
GS  
$20  
220  
156  
283  
V
4
Continuous Drain  
Current, R  
Steady  
State  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
D
A
C
q
JC  
T
C
4
Power Dissipation,  
R
Steady  
State  
T
C
P
D
W
q
JC  
1
2
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
660  
130  
A
A
DM  
3
2
Current Limited by Package  
I
DMmax  
TO−220AB  
D PAK  
CASE 221A  
STYLE 5  
CASE 418B  
STYLE 2  
1
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
2
3
Source Current (Body Diode)  
I
130  
735  
A
S
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENTS  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
Energy (L = 0.3 mH)  
E
AS  
mJ  
4
4
Drain  
Lead Temperature for Soldering  
Purposes (1/8″ from Case for 10 Seconds)  
T
260  
°C  
L
Drain  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
NTB  
5860NG  
AYWW  
Symbol  
Max  
0.53  
28  
Unit  
NTP  
5860NG  
AYWW  
Junction−to−Case (Drain) Steady State  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 1)  
R
°C/W  
q
JC  
R
2
q
JA  
1
Gate  
3
1
Gate  
3
Drain  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 sq in pad size,  
Source  
Source  
2
Drain  
G
A
Y
= Pb−Free Device  
= Assembly Location*  
= Year  
(Cu Area 1.127 sq in [2 oz] including traces).  
WW = Work Week  
*Could be one or two digit alpha or numeric code  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
September, 2012 − Rev. 2  
NTB5860N/D  
 
1234567

中文翻译

下载PDF

NTB5860NT4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDB024N06 ONSEMI

类似代替

 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，265A，2.4mΩ
IRFS7530TRLPBF INFINEON

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDB024N06 FAIRCHILD

功能相似

 N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 60V, 265A, 2.4m

与NTB5860NT4G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTB5D0N15MC ONSEMI

获取价格

 		MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench®
NTB60N06 ONSEMI

获取价格

 		60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK
NTB60N06G ONSEMI

获取价格

 		60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK
NTB60N06L ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 60 Amps, 60 Volts, Logic Level N−Channel TO−220 and D2PAK
NTB60N06LG ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 60 Amps, 60 Volts, Logic Level N−Channel TO−220 and D2PAK
NTB60N06LT4 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 60 Amps, 60 Volts, Logic Level N−Channel TO−220 and D2PAK
NTB60N06LT4G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 60 Amps, 60 Volts, Logic Level N−Channel TO−220 and D2PAK
NTB60N06T4 ONSEMI

获取价格

 		60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK
NTB60N06T4G ONSEMI

获取价格

 		60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK
NTB6410AN ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 76 A, 13 mΩ

与NTB5860NT4G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证