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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTB60N06LT4G
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NTB60N06LT4G

更新时间： 2024-09-13 06:00:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 89K
描述
Power MOSFET 60 Amps, 60 Volts, Logic Level N−Channel TO−220 and D2PAK

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NTB60N06LT4G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.91
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：454 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A最大漏极电流 (ID)：60 A
最大漏源导通电阻：0.016 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTB60N06LT4G 数据手册

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NTP60N06L, NTB60N06L  
Power MOSFET  
60 Amps, 60 Volts,  
Logic Level  
N−Channel TO−220 and D2PAK  
http://onsemi.com  
Designed for low voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters, power motor controls and bridge circuits.  
60 AMPERES, 60 VOLTS  
RDS(on) = 16 mW  
Features  
N−Channel  
• Pb−Free Packages are Available  
D
Typical Applications  
• Power Supplies  
• Converters  
• Power Motor Controls  
• Bridge Circuits  
G
S
4
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
4
Drain−to−Source Voltage  
V
DSS  
DGR  
Drain−to−Gate Voltage (R = 10 MW)  
V
60  
GS  
1
2
Gate−to−Source Voltage  
− Continuous  
3
2
TO−220AB  
CASE 221A  
STYLE 5  
D PAK  
CASE 418B  
STYLE 2  
V
V
"15  
"20  
GS  
GS  
− Non−Repetitive (t v10 ms)  
p
1
2
Drain Current  
3
− Continuous @ T = 25°C  
I
I
60  
42.3  
180  
Adc  
Apk  
A
D
D
− Continuous @ T 100°C  
A
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENTS  
− Single Pulse (t v10 ms)  
p
I
DM  
4
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
150  
1.0  
2.4  
W
W/°C  
W
A
D
Drain  
Derate above 25°C  
4
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 1)  
A
Drain  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
175  
°C  
J
stg  
NTx  
60N06LG  
AYWW  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
454  
mJ  
AS  
NTx60N06LG  
AYWW  
Energy − Starting T = 25°C  
J
(V = 75 Vdc, V = 5.0 Vdc,  
DD  
GS  
L = 0.3 mH, I (pk) = 55 A,V = 60 Vdc)  
L
DS  
1
Gate  
3
1
2
3
Thermal Resistance,  
°C/W  
°C  
Source  
Gate Drain Source  
− Junction−to−Case  
− Junction−to−Ambient (Note 1)  
R
R
1.0  
62.5  
q
JC  
2
q
JA  
Drain  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
L
NTx60N06L = Device Code  
x
A
Y
WW  
G
= B or P  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
1. When surface mounted to an FR4 board using the minimum recommended  
2
pad size, (Cu Area 0.412 in ).  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
August, 2005 − Rev. 3  
NTP60N06L/D  
 
12345678

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NTB60N06LT4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NVB60N06T4G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 60 V, 60 A, N−Channel D2PAK
NTB60N06LT4 ONSEMI

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NTB60N06T4G ONSEMI

类似代替

 60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTB60N06T4 ONSEMI

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 		60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK
NTB60N06T4G ONSEMI

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 		60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK
NTB6410AN ONSEMI

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 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 76 A, 13 mΩ
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