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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTB6410ANT4G
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NTB6410ANT4G

更新时间： 2024-11-14 06:00:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
7页 141K
描述
N-Channel Power MOSFET 100 V, 76 A, 13 mΩ

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NTB6410ANT4G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.64
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：76 A
最大漏极电流 (ID)：76 A最大漏源导通电阻：0.013 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：188 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：305 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTB6410ANT4G 数据手册

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NTB6410AN, NTP6410AN  
N-Channel Power MOSFET  
100 V, 76 A, 13 mW  
Features  
• Low R  
DS(on)  
• High Current Capability  
• 100% Avalanche Tested  
• These are Pb−Free Devices  
http://onsemi.com  
I
MAX  
D
V
R
MAX  
DS(ON)  
(Note 1)  
(BR)DSS  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C Unless otherwise specified)  
J
100 V  
13 mW @ 10 V  
76 A  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
Symbol  
Value  
100  
$20  
76  
Unit  
V
V
DSS  
N−Channel  
V
GS  
V
D
Continuous Drain  
Current R  
Steady  
State  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
D
A
C
q
JC  
T
C
54  
Power Dissipation  
R
Steady  
State  
T
C
P
D
188  
W
G
4
q
JC  
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
305  
A
DM  
S
Operating Junction and Storage Temperature  
Range  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
Source Current (Body Diode)  
I
S
76  
A
4
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
500  
mJ  
1
2
Energy (V = 50 Vdc, V = 10 Vdc,  
DD  
GS  
I
= 57.7 A, L = 0.3 mH, R = 25 W)  
L(pk)  
G
3
Lead Temperature for Soldering  
T
260  
°C  
L
2
TO−220AB  
CASE 221A  
STYLE 5  
D PAK  
Purposes, 1/8″ from Case for 10 Seconds  
CASE 418B  
STYLE 2  
1
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
2
3
Symbol  
Max  
0.8  
32  
Unit  
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENT  
Junction−to−Case (Drain) Steady State  
Junction−to−Ambient (Note 1)  
R
°C/W  
q
JC  
4
R
q
JA  
4
Drain  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 sq in pad size,  
Drain  
NTB  
6410ANG  
AYWW  
NTP  
(Cu Area 1.127 sq in [2 oz] including traces).  
6410ANG  
AYWW  
2
1
Gate  
3
1
Gate  
3
Drain  
Source  
Source  
2
6410AN = Specific Device Code  
Drain  
G
A
Y
= Pb−Free Device  
= Assembly Location  
= Year  
WW = Work Week  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
December, 2009 − Rev. 0  
NTB6410AN/D  
 
1234567

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