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NVB6410ANT4G

更新时间： 2024-09-16 01:18:19
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安森美 - ONSEMI /
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7页 87K
描述
N-Channel Power MOSFET

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NVB6410ANT4G 数据手册

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NTB6410AN, NTP6410AN,  
NVB6410AN  
N-Channel Power MOSFET  
100 V, 76 A, 13 mW  
Features  
www.onsemi.com  
• Low R  
• High Current Capability  
• 100% Avalanche Tested  
DS(on)  
I
D
MAX  
V
R
MAX  
DS(ON)  
(Note 1)  
(BR)DSS  
• NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101  
Qualified and PPAP Capable  
100 V  
13 mW @ 10 V  
76 A  
N−Channel  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C Unless otherwise specified)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
Symbol  
Value  
100  
$20  
76  
Unit  
V
V
DSS  
G
4
V
GS  
V
S
Continuous Drain  
Current R  
Steady  
State  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
D
A
C
q
JC  
T
C
54  
Power Dissipation  
R
Steady  
State  
T
C
P
D
188  
W
4
q
JC  
1
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
305  
A
2
DM  
3
Operating Junction and Storage Temperature  
Range  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
2
TO−220AB  
D PAK  
Source Current (Body Diode)  
I
76  
A
CASE 221A  
STYLE 5  
CASE 418B  
STYLE 2  
S
1
2
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
500  
mJ  
3
Energy (V = 50 Vdc, V = 10 Vdc,  
DD  
GS  
I
= 57.7 A, L = 0.3 mH, R = 25 W)  
L(pk)  
G
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENT  
Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from Case for 10 Seconds  
T
260  
°C  
L
4
4
Drain  
Drain  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Max  
0.8  
32  
Unit  
Junction−to−Case (Drain) Steady State  
Junction−to−Ambient (Note 1)  
R
°C/W  
NTB  
q
JC  
JA  
NTP  
6410ANG  
AYWW  
R
q
6410ANG  
AYWW  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 sq in pad size,  
2
1
Gate  
3
1
Gate  
3
Drain  
Source  
Source  
(Cu Area 1.127 sq in [2 oz] including traces).  
2
6410AN = Specific Device Code  
Drain  
G
A
Y
= Pb−Free Device  
= Assembly Location  
= Year  
WW = Work Week  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2015  
1
Publication Order Number:  
January, 2015 − Rev. 2  
NTB6410AN/D  
 
1234567

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NVB6410ANT4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTB6410ANT4G ONSEMI

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 N-Channel Power MOSFET 100 V, 76 A, 13 mΩ
NTB6410ANG ONSEMI

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