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NVBF170LT1G

更新时间： 2024-11-07 11:01:35

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		小信号场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	64K
描述
Automotive Power MOSFET, 60V, 500mA, 5 Ohm, Single N-Channel, SOT-23, Logic Level.

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NVBF170LT1G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	End Of Life
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	6.25
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.5 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

NVBF170LT1G 数据手册

MMBF170LT1

Power MOSFET

500 mA, 60 V

N−Channel SOT−23

Features

http://onsemi.com

• Pb−Free Packages are Available

500 mA, 60 V

MAXIMUM RATINGS

Rating

_DS(on)= 5 W

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain−Source Voltage

Drain−Gate Voltage

DSS

DGS

N−Channel

Gate−Source Voltage

− Continuous

GSM

±20

±40

Vdc

Vpk

− Non−repetitive (t ≤ 50 ms)

Drain Current − Continuous

− Pulsed

0.5

0.8

Adc

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR−5 Board

(Note 1.) T = 25°C

Derate above 25°C

225

1.8

mW/°C

Thermal Resistance, Junction−to−Ambient

Junction and Storage Temperature

556

°C/W

°C

SOT−23

CASE 318

STYLE 21

T , T

−55 to

+150

stg

1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.

MARKING DIAGRAM

= Device Code

= Work Week

PIN ASSIGNMENT

Drain

Gate 1

2 Source

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the

package dimensions section on page 2 of this data sheet.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2004

Publication Order Number:

February, 2004 − Rev. 4

MMBF170LT1/D

12 3 4

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