5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NVB6411AN
NVB6411AN PDF预览

NVB6411AN

更新时间： 2024-11-07 01:18:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
7页 148K
描述
N-Channel Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

NVB6411AN 数据手册

 浏览型号NVB6411AN的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NVB6411AN的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NVB6411AN的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NVB6411AN的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NVB6411AN的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NVB6411AN的Datasheet PDF文件第7页 
NTB6411AN, NTP6411AN,  
NVB6411AN  
N-Channel Power MOSFET  
100 V, 77 A, 14 mW  
Features  
• Low R  
DS(on)  
http://onsemi.com  
• High Current Capability  
• 100% Avalanche Tested  
I
D
MAX  
V
R
DS(ON)  
MAX  
(Note 1)  
• NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101  
Qualified and PPAP Capable  
(BR)DSS  
100 V  
14 mW @ 10 V  
77 A  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
N−Channel  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C Unless otherwise specified)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
Symbol  
Value  
100  
$20  
77  
Unit  
V
V
DSS  
G
V
V
GS  
Continuous Drain  
Current R  
Steady  
State  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
D
A
C
S
q
JC  
T
C
54  
4
Power Dissipation  
R
Steady  
State  
T
C
P
217  
W
D
q
JC  
4
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
285  
A
DM  
1
2
Operating Junction and Storage Temperature  
Range  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
3
Source Current (Body Diode)  
I
S
77  
A
2
TO−220AB  
D PAK  
CASE 221A  
STYLE 5  
CASE 418B  
STYLE 2  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
470  
mJ  
AS  
1
Energy (V = 50 Vdc, V = 10 Vdc, I =  
DD  
GS  
L(pk)  
2
56 A, L = 0.3 mH, R = 25 W)  
3
G
Lead Temperature for Soldering  
T
260  
°C  
L
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENT  
Purposes, 1/8″ from Case for 10 Seconds  
4
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
4
Drain  
Drain  
Symbol  
Max  
0.69  
33  
Unit  
Junction−to−Case (Drain) Steady State  
Junction−to−Ambient (Note 1)  
R
q
°C/W  
JC  
NTB  
R
q
JA  
NTP  
6411ANG  
AYWW  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 sq in pad size,  
6411ANG  
AYWW  
2
1
Gate  
3
1
Gate  
3
Drain  
Source  
Source  
(Cu Area 1.127 sq in [2 oz] including traces).  
2
6411AN = Specific Device Code  
Drain  
G
A
Y
= Pb−Free Device  
= Assembly Location  
= Year  
WW = Work Week  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
January, 2012 − Rev. 2  
NTB6411AN/D  
 
1234567

中文翻译

下载PDF

与NVB6411AN相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NVB6411ANT4G ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET
NVB6412AN ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET
NVB6412ANT4G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 100V, 58A, 18.2 mohm, Single N-Channel, D2PAK.
NVB6413AN ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 42 A, 28 m
NVB6413ANT4G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 100V 42A 28 mohm Single N-Channel D2PAK
NVBF170LT1G ONSEMI

获取价格

 		Automotive Power MOSFET, 60V, 500mA, 5 Ohm, Single N-Channel, SOT-23, Logic Level.
NVBG015N065SC1 ONSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor
NVBG020N090SC1 ONSEMI

获取价格

 		Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - Eli
NVBG020N120SC1 ONSEMI

获取价格

 		Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - Eli
NVBG022N120M3S ONSEMI

获取价格

 		Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L

与NVB6411AN相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证