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NVB6412AN

更新时间： 2024-11-09 11:58:47
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安森美 - ONSEMI /
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7页 147K
描述
N-Channel Power MOSFET

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NVB6412AN 数据手册

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NTB6412AN, NTP6412AN,  
NVB6412AN  
N-Channel Power MOSFET  
100 V, 58 A, 18.2 mW  
Features  
• Low R  
DS(on)  
http://onsemi.com  
• High Current Capability  
• 100% Avalanche Tested  
I
D
MAX  
V
R
DS(ON)  
MAX  
(Note 1)  
• NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101  
Qualified and PPAP Capable  
(BR)DSS  
100 V  
18.2 mW @ 10 V  
58 A  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
N−Channel  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C Unless otherwise specified)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
Symbol Value  
Unit  
V
V
100  
$20  
58  
DSS  
G
V
V
GS  
Continuous Drain Cur- Steady  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
D
A
C
rent R  
State  
q
JC  
S
T
C
41  
4
Power Dissipation  
R
Steady  
State  
T
C
P
167  
W
D
q
JC  
4
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
240  
A
DM  
1
2
Operating Junction and Storage Temperature  
Range  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
3
Source Current (Body Diode)  
I
S
58  
A
2
TO−220AB  
D PAK  
CASE 221A  
STYLE 5  
CASE 418B  
STYLE 2  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
300  
mJ  
AS  
1
Energy (V = 50 Vdc, V = 10 Vdc,  
DD  
GS  
2
I
= 44.7 A, L = 0.3 mH, R = 25 W)  
3
L(pk)  
G
Lead Temperature for Soldering  
T
260  
°C  
L
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENT  
Purposes, 1/8″ from Case for 10 Seconds  
4
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
4
Drain  
Drain  
Symbol  
Max  
0.9  
33  
Unit  
Junction−to−Case (Drain) Steady State  
Junction−to−Ambient (Note 1)  
R
q
°C/W  
JC  
NTB  
R
q
JA  
NTP  
6412ANG  
AYWW  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 sq in pad size,  
6412ANG  
AYWW  
2
1
Gate  
3
1
Gate  
3
Drain  
Source  
Source  
(Cu Area 1.127 sq in [2 oz] including traces).  
2
6412AN = Specific Device Code  
Drain  
G
A
Y
= Pb−Free Device  
= Assembly Location  
= Year  
WW = Work Week  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
January, 2012 − Rev. 1  
NTB6412AN/D  
 
1234567

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与NVB6412AN相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NVB6412ANT4G ONSEMI

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 		Power MOSFET 100V, 58A, 18.2 mohm, Single N-Channel, D2PAK.
NVB6413AN ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 42 A, 28 m
NVB6413ANT4G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 100V 42A 28 mohm Single N-Channel D2PAK
NVBF170LT1G ONSEMI

获取价格

 		Automotive Power MOSFET, 60V, 500mA, 5 Ohm, Single N-Channel, SOT-23, Logic Level.
NVBG015N065SC1 ONSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor
NVBG020N090SC1 ONSEMI

获取价格

 		Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - Eli
NVBG020N120SC1 ONSEMI

获取价格

 		Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - Eli
NVBG022N120M3S ONSEMI

获取价格

 		Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L
NVBG025N065SC1 ONSEMI

获取价格

 		Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 m
NVBG030N120M3S ONSEMI

获取价格

 		Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 30 m

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