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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NVB6412ANT4G
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NVB6412ANT4G

更新时间： 2024-11-07 11:01:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 136K
描述
Power MOSFET 100V, 58A, 18.2 mohm, Single N-Channel, D2PAK.

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NVB6412ANT4G 数据手册

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NTB6412AN, NTP6412AN  
N-Channel Power MOSFET  
100 V, 58 A, 18.2 mW  
Features  
• Low R  
DS(on)  
• High Current Capability  
• 100% Avalanche Tested  
• These are Pb−Free Devices  
http://onsemi.com  
I
D
MAX  
V
R
MAX  
(Note 1)  
(BR)DSS  
DS(ON)  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C Unless otherwise specified)  
J
100 V  
18.2 mW @ 10 V  
58 A  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
Symbol Value  
Unit  
V
V
100  
$20  
58  
DSS  
N−Channel  
V
V
GS  
D
Continuous Drain Cur- Steady  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
D
A
C
rent R  
State  
q
JC  
T
C
41  
Power Dissipation  
R
Steady  
State  
T
C
P
167  
W
D
G
q
JC  
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
240  
A
DM  
S
Operating Junction and Storage Temperature  
Range  
T , T  
−55 to  
°C  
J
stg  
+175  
4
Source Current (Body Diode)  
I
S
58  
A
4
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
300  
mJ  
AS  
Energy (V = 50 Vdc, V = 10 Vdc,  
DD  
GS  
1
2
I
= 44.7 A, L = 0.3 mH, R = 25 W)  
L(pk)  
G
3
Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from Case for 10 Seconds  
T
L
260  
°C  
2
TO−220AB  
D PAK  
CASE 221A  
STYLE 5  
CASE 418B  
STYLE 2  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
1
2
3
Symbol  
Max  
0.9  
33  
Unit  
Junction−to−Case (Drain) Steady State  
Junction−to−Ambient (Note 1)  
R
q
°C/W  
JC  
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENT  
R
q
JA  
4
4
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 sq in pad size,  
Drain  
Drain  
NTB  
6412ANG  
AYWW  
(Cu Area 1.127 sq in [2 oz] including traces).  
NTP  
6412ANG  
AYWW  
2
1
Gate  
3
1
Gate  
3
Drain  
Source  
Source  
2
6412AN = Specific Device Code  
Drain  
G
A
Y
= Pb−Free Device  
= Assembly Location  
= Year  
WW = Work Week  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
October, 2009 − Rev. 0  
NTB6412AN/D  
 
1234567

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NVB6412ANT4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDB3652 ONSEMI

类似代替

 N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 61A, 16m
FDB3652-F085 ONSEMI

功能相似

 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，61A，16mΩ

与NVB6412ANT4G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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