5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTB60N06LG
NTB60N06LG PDF预览

NTB60N06LG

更新时间： 2024-11-14 06:00:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 89K
描述
Power MOSFET 60 Amps, 60 Volts, Logic Level N−Channel TO−220 and D2PAK

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTB60N06LG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.17Is Samacsys：N
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：454 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A
最大漏极电流 (ID)：60 A最大漏源导通电阻：0.016 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTB60N06LG 数据手册

 浏览型号NTB60N06LG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTB60N06LG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTB60N06LG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTB60N06LG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NTB60N06LG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NTB60N06LG的Datasheet PDF文件第7页 
NTP60N06L, NTB60N06L  
Power MOSFET  
60 Amps, 60 Volts,  
Logic Level  
N−Channel TO−220 and D2PAK  
http://onsemi.com  
Designed for low voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters, power motor controls and bridge circuits.  
60 AMPERES, 60 VOLTS  
RDS(on) = 16 mW  
Features  
N−Channel  
• Pb−Free Packages are Available  
D
Typical Applications  
• Power Supplies  
• Converters  
• Power Motor Controls  
• Bridge Circuits  
G
S
4
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
4
Drain−to−Source Voltage  
V
DSS  
DGR  
Drain−to−Gate Voltage (R = 10 MW)  
V
60  
GS  
1
2
Gate−to−Source Voltage  
− Continuous  
3
2
TO−220AB  
CASE 221A  
STYLE 5  
D PAK  
CASE 418B  
STYLE 2  
V
V
"15  
"20  
GS  
GS  
− Non−Repetitive (t v10 ms)  
p
1
2
Drain Current  
3
− Continuous @ T = 25°C  
I
I
60  
42.3  
180  
Adc  
Apk  
A
D
D
− Continuous @ T 100°C  
A
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENTS  
− Single Pulse (t v10 ms)  
p
I
DM  
4
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
150  
1.0  
2.4  
W
W/°C  
W
A
D
Drain  
Derate above 25°C  
4
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 1)  
A
Drain  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
175  
°C  
J
stg  
NTx  
60N06LG  
AYWW  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
454  
mJ  
AS  
NTx60N06LG  
AYWW  
Energy − Starting T = 25°C  
J
(V = 75 Vdc, V = 5.0 Vdc,  
DD  
GS  
L = 0.3 mH, I (pk) = 55 A,V = 60 Vdc)  
L
DS  
1
Gate  
3
1
2
3
Thermal Resistance,  
°C/W  
°C  
Source  
Gate Drain Source  
− Junction−to−Case  
− Junction−to−Ambient (Note 1)  
R
R
1.0  
62.5  
q
JC  
2
q
JA  
Drain  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
L
NTx60N06L = Device Code  
x
A
Y
WW  
G
= B or P  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
1. When surface mounted to an FR4 board using the minimum recommended  
2
pad size, (Cu Area 0.412 in ).  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
August, 2005 − Rev. 3  
NTP60N06L/D  
 
12345678

中文翻译

下载PDF

NTB60N06LG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NVB60N06T4G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 60 V, 60 A, N−Channel D2PAK
NTB60N06LT4G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 60 Amps, 60 Volts, Logic Level N−Channel TO−220 and D2PAK
NTB60N06T4G ONSEMI

类似代替

 60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK

与NTB60N06LG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTB60N06LT4 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 60 Amps, 60 Volts, Logic Level N−Channel TO−220 and D2PAK
NTB60N06LT4G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 60 Amps, 60 Volts, Logic Level N−Channel TO−220 and D2PAK
NTB60N06T4 ONSEMI

获取价格

 		60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK
NTB60N06T4G ONSEMI

获取价格

 		60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK
NTB6410AN ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 76 A, 13 mΩ
NTB6410ANG ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 76 A, 13 mΩ
NTB6410ANT4G ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 76 A, 13 mΩ
NTB6411AN ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 72 A, 14 mΩ
NTB6411ANG ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 72 A, 14 mΩ
NTB6411ANT4G ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 72 A, 14 mΩ

与NTB60N06LG相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证