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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, CASE 418B-04, D2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.17 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 338 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 18.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.14 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 55 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NTB5605T4G | ONSEMI |
获取价格 |
18.5A, 60V, 0.14ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3 |
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| NTB5860N | ONSEMI |
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N-Channel Power MOSFET |
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| NTB5860NL | ONSEMI |
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N-Channel Power MOSFET |
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| NTB5860NLT4G | ONSEMI |
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N-Channel Power MOSFET |
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| NTB5860NT4G | ONSEMI |
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N-Channel Power MOSFET |
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| NTB5D0N15MC | ONSEMI |
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MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench® |
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| NTB60N06 | ONSEMI |
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60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK |
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| NTB60N06G | ONSEMI |
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60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK |
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| NTB60N06L | ONSEMI |
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Power MOSFET 60 Amps, 60 Volts, Logic Level N−Channel TO−220 and D2PAK |
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| NTB60N06LG | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 60 Amps, 60 Volts, Logic Level N−Channel TO−220 and D2PAK |
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