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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTB5605PG
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NTB5605PG

更新时间： 2024-09-13 03:45:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体放大器晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
7页 70K
描述
Power MOSFET -60 Volt, -18.5 Amp

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NTB5605PG 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.2
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：338 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：17 A
最大漏极电流 (ID)：18.5 A最大漏源导通电阻：0.14 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：73.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：55 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTB5605PG 数据手册

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NTB5605P  
Power MOSFET  
−60 Volt, −18.5 Amp  
P−Channel, D2PAK  
http://onsemi.com  
Features  
• Designed for Low R  
DS(on)  
V
R
TYP  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
• Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modes  
• Pb−Free Packages are Available  
−60 V  
120 mW @ −5.0 V  
−18.5 A  
Applications  
P−Channel  
• Power Supplies  
• PWM Motor Control  
• Converters  
D
• Power Management  
G
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
S
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value  
Unit  
V
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENT  
V
−60  
$20  
−18.5  
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
V
GS  
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
Steady  
State  
T = 25°C  
A
I
A
D
4
Drain  
4
Power Dissipation  
(Note 1)  
Steady  
State  
T = 25°C  
P
88  
W
A
D
1
2
3
NTB5605PG  
AYWW  
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
−55  
A
DM  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
−55 to  
175  
°C  
J
2
D PAK  
CASE 418B  
STYLE 2  
T
STG  
1
2
3
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
338  
mJ  
AS  
Gate Drain Source  
Energy (V = 25 V, V = 5.0 V, I = 15 A,  
DD  
GS  
PK  
L = 3.0 mH, R = 25 W)  
G
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8 in from case for 10 s)  
T
260  
°C  
L
NTB5605P = Device Code  
A
= Assembly Location  
Y
WW  
G
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Max  
Unit  
Junction−to−Case (Drain) – Steady State  
R
q
JC  
1.7  
°C/W  
ORDERING INFORMATION  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
†
Device  
Package  
Shipping  
2
NTB5605P  
D PAK  
50 Units/Rail  
50 Units/Rail  
2
2
1. When surface mounted to an FR4 board using 1″ pad size (Cu Area 1.127 in ).  
NTB5605PG  
D PAK  
2. When surface mounted to an FR4 board using the minimum recommended  
(Pb−Free)  
2
pad size (Cu Area 0.41 in ).  
2
NTB5605PT4  
D PAK  
800 Tape & Reel  
800 Tape & Reel  
2
NTB5605PT4G  
D PAK  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
August, 2005 − Rev. 2  
NTB5605P/D  
 
1234567

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NTB5605PG 替代型号

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