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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTB5605P
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NTB5605P

更新时间： 2024-02-06 21:53:07
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安森美 - ONSEMI /
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8页 65K
描述
Power MOSFET

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NTB5605P 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CASE 418B-04, D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：7.79雪崩能效等级（Eas）：338 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：17 A
最大漏极电流 (ID)：18.5 A最大漏源导通电阻：0.14 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：235
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：73.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：55 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTB5605P 数据手册

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NTB5605P  
Power MOSFET  
−60 V, −18.5 A, P−Channel, D2PAK  
Features  
• Designed for Low R  
DS(on)  
http://onsemi.com  
• Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modes  
V
R
TYP  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
Applications  
• Power Supplies  
• PWM Motor Control  
• Converters  
−60 V  
120 mW @ −5.0 V  
−18.5 A  
P−Channel  
• Power Management  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value  
Unit  
V
G
V
DSS  
−60  
$20  
−18.5  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
V
S
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
Steady  
State  
T = 25°C  
A
I
D
A
4
Power Dissipation  
(Note 1)  
Steady  
State  
T = 25°C  
A
P
D
88  
W
2
D PAK  
CASE 418B  
STYLE 2  
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
−55  
A
2
1
DM  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
−55 to  
175  
°C  
3
J
T
STG  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
338  
mJ  
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENT  
Energy (V = 25 V, V = 5.0 V, I = 15 A,  
DD  
GS  
PK  
L = 3.0 mH, R = 25 W)  
G
Drain  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
NTB5605P  
YWW  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Max  
Unit  
Junction−to−Case (Drain) – Steady State  
R
1.7  
°C/W  
q
JC  
Drain  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
Gate  
Source  
NTB5605P = Device Code  
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
2
1. When surface mounted to an FR4 board using 1″ pad size (Cu Area 1.127 in ).  
2. When surface mounted to an FR4 board using the minimum recommended  
2
pad size (Cu Area 0.41 in ).  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
NTB5605P  
NTB5605PT4  
Package  
Shipping  
2
D PAK  
50 Units/Rail  
2
D PAK  
800/Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
August, 2004 − Rev. 1  
NTB5605P/D  
 
12345678

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NTB5605P 替代型号

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