Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> NSVMMUN2113LT3G

NSVMMUN2113LT3G

更新时间： 2023-06-19 14:32:10

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安森美 - ONSEMI		开关光电二极管小信号双极晶体管数字晶体管
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PNP 双极数字晶体管 (BRT)

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NSVMMUN2113LT3G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	4 weeks
风险等级：	5.65	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	80	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W
参考标准：	AEC-Q101	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NSVMMUN2113LT3G 数据手册

DTA114EM3T5G Series

Preferred Devices

Digital Transistors (BRT)

PNP Silicon Surface Mount Transistors

with Monolithic Bias Resistor Network

This new series of digital transistors is designed to replace a single

device and its external resistor bias network. The digital transistor

contains a single transistor with a monolithic bias network consisting

of two resistors; a series base resistor and a base−emitter resistor. The

digital transistor eliminates these individual components by

integrating them into a single device. The use of a digital transistor can

reduce both system cost and board space. The device is housed in the

SOT−723 package which is designed for low power surface mount

applications.

http://onsemi.com

PNP SILICON

DIGITAL

TRANSISTORS

• Simplifies Circuit Design

• Reduces Board Space

• Reduces Component Count

• The SOT−723 Package can be Soldered using Wave or Reflow.

• Available in 4 mm, 8000 Unit Tape & Reel

• These are Pb−Free Devices

PIN 3

COLLECTOR

(OUTPUT)

PIN 1

BASE

(INPUT)

PIN 2

EMITTER

(GROUND)

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)

Rating

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Collector Current

Symbol

Value

Unit

Vdc

MARKING

DIAGRAM

CBO

CEO

Vdc

100

mAdc

XX M

SOT−723

CASE 631AA

Style 1

xx = Specific Device Code

(See Marking Table on page 2)

= Date Code

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 2 of this data sheet.

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2004

Publication Order Number:

February, 2004 − Rev. 0

DTA114EM3/D

12 3 4 5 6 7...12

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NSVMMUN2114LT3G	ONSEMI	获取价格	PNP 双极数字晶体管 (BRT)
NSVMMUN2130LT1G	ONSEMI	获取价格	PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
NSVMMUN2131LT1G	ONSEMI	获取价格	PNP 双极数字晶体管 (BRT)
NSVMMUN2132LT1G	ONSEMI	获取价格	Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 k, R2 = 4.7 k
NSVMMUN2133LT1G	ONSEMI	获取价格	PNP 双极数字晶体管 (BRT)
NSVMMUN2135LT1G	ONSEMI	获取价格	PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
NSVMMUN2136LT1G	ONSEMI	获取价格	PNP 双极数字晶体管 (BRT)
NSVMMUN2137LT1G	ONSEMI	获取价格	PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
NSVMMUN2212LT1G	ONSEMI	获取价格	NPN Transistors with Monolithic Bias Resistor Network
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