5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| Factory Lead Time： | 8 weeks | 风险等级： | 5.73 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 210 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 0.2 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NSVMUN2112T1G | ONSEMI |
获取价格 |
PNP 双极数字晶体管 (BRT) |
|
| NSVMUN2132T1G | ONSEMI |
获取价格 |
PNP 双极数字晶体管 (BRT) |
|
| NSVMUN2212T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Digital Transistors (BRT) R1 = 22 k, R2 = 22 k |
|
| NSVMUN2233T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 k, R2 = 47 k |
|
| NSVMUN2236T1G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN Bipolar Digital Transistor (BRT) |
|
| NSVMUN2237T1G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN Bipolar Digital Transistor (BRT) |
|
| NSVMUN5111DW1T3G | ONSEMI |
获取价格 |
双路 PNP 双极数字晶体管 (BRT) |
|
| NSVMUN5113DW1T3G | ONSEMI |
获取价格 |
双 PNP 双极数字晶体管 (BRT) |
|
| NSVMUN5131T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Digital Transistors (BRT) R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k |
|
| NSVMUN5132T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 k, R2 = 4.7 k |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
