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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> NSVMSD42WT1G
NSVMSD42WT1G PDF预览

NSVMSD42WT1G

更新时间： 2023-06-19 14:32:04
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器光电二极管小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 52K
描述
High Voltage NPN Bipolar Transistor

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NSVMSD42WT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：7 weeks风险等级：5.73
最大集电极电流 (IC)：0.15 A集电极-发射极最大电压：300 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.45 W参考标准：AEC-Q101
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NSVMSD42WT1G 数据手册

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MSD42WT1, MSD42T1  
Preferred Device  
NPN Silicon General  
Purpose High Voltage  
Transistors  
This NPN Silicon Planar Transistor is designed for general purpose  
amplifier applications. This device is housed in the SC-70/SOT-323 and  
SC−59 packages which are designed for low power surface mount  
applications.  
http://onsemi.com  
COLLECTOR  
3
Features  
• Pb−Free Package is Available  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
A
Rating  
Symbol  
Value  
300  
300  
6.0  
Unit  
Vdc  
1
2
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
(BR)CBO  
(BR)CEO  
(BR)EBO  
BASE  
EMITTER  
V
V
Vdc  
Vdc  
3
3
Collector Current − Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Rating  
I
150  
mAdc  
C
1
2
2
1
Symbol  
Max  
150  
Unit  
mW  
°C  
SC−70 (SOT−323)  
CASE 419  
(SCALE 2:1)  
SC−59  
CASE 318D  
(SCALE 2:1)  
Power Dissipation (Note 1)  
Junction Temperature  
P
D
T
150  
J
Storage Temperature Range  
T
stg  
−55X+150  
°C  
MARKING DIAGRAMS  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
1D  
M
J1D M  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
V
300  
−
Vdc  
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
C
B
Collector-Base Breakdown Voltage  
(I = 100 mAdc, I = 0)  
V
V
300  
6.0  
−
−
Vdc  
Vdc  
mA  
mA  
−
1D = Device Marking Code  
= Date Code  
C
E
M
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(I = 100 mAdc, I = 0)  
−
E
E
ORDERING INFORMATION  
Collector-Base Cutoff Current  
(V = 200 Vdc, I = 0)  
I
I
0.1  
0.1  
CBO  
†
Device  
Package  
Shipping  
CB  
E
Emitter−Base Cutoff Current  
(V = 6.0 Vdc, I = 0)  
−
MSD42WT1 SC−70/SOT−323 3000/Tape & Reel  
MSD42WT1G SC−70/SOT−323 3000/Tape & Reel  
EBO  
EB  
B
DC Current Gain (Note 2)  
(V = 10 Vdc, I = 1.0 mAdc)  
h
FE1  
h
FE2  
25  
40  
−
−
CE  
C
MSD42T1  
SC−59  
3000/Tape & Reel  
(V = 10 Vdc, I = 30 mAdc)  
CE  
C
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(Note 2) (I = 20 mAdc,  
V
−
0.5  
Vdc  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
CE(sat)  
C
I
B
= 2.0 mAdc)  
1. Device mounted on a FR-4 glass epoxy printed circuit board using the minimum  
recommendedfootprint.  
2. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, D.C. ≤ 2%.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
January, 2004 − Rev. 6  
MSD42WT1/D  
 
1234

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NSVMSD42WT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MSD42WT1G ONSEMI

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