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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> NSVMSA1162GT1G
NSVMSA1162GT1G PDF预览

NSVMSA1162GT1G

更新时间： 2024-12-01 11:01:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器光电二极管小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 42K
描述
PNP 双极晶体管

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NSVMSA1162GT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：8 weeks风险等级：5.72
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：200
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
VCEsat-Max：0.5 VBase Number Matches：1

NSVMSA1162GT1G 数据手册

 浏览型号NSVMSA1162GT1G的Datasheet PDF文件第2页 
MSA1162GT1, MSA1162YT1  
General Purpose Amplifier  
Transistors  
PNP Surface Mount  
http://onsemi.com  
Features  
• Moisture Sensitivity Level: 1  
• ESD Rating: TBD  
• Pb−Free Packages are Available  
COLLECTOR  
3
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
A
Rating  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
Vdc  
2
1
Collector−Base Voltage  
V
(BR)CBO  
(BR)CEO  
(BR)EBO  
BASE  
EMITTER  
Collector−Emitter Voltage  
Emitter−Base Voltage  
V
V
50  
Vdc  
7.0  
Vdc  
3
Collector Current − Continuous  
Collector Current − Peak  
THERMAL CHARACTERISTICS  
I
100  
200  
mAdc  
mAdc  
C
2
I
1
C(P)  
SC−59  
Characteristic  
Power Dissipation  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
mW  
°C  
CASE 318D  
STYLE 1  
P
D
Junction Temperature  
Storage Temperature  
T
150  
J
MARKING DIAGRAM  
T
stg  
−55 to +150  
°C  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
62x M G  
G
1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
62x = Device Code  
x = G or Y  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
M
G
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
Collector−Emitter Breakdown Voltage  
(I = 2.0 mAdc, I = 0)  
V
50  
−
Vdc  
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
C
B
(Note: Microdot may be in either location)  
Collector−Base Breakdown Voltage  
(I = 10 mAdc, I = 0)  
V
V
60  
7.0  
−
−
−
Vdc  
Vdc  
*Date Code orientation may vary depending  
upon manufacturing location.  
C
E
Emitter−Base Breakdown Voltage  
(I = 10 mAdc, I = 0)  
E
C
ORDERING INFORMATION  
Collector−Base Cutoff Current  
(V = 45 Vdc, I = 0)  
I
I
0.1  
mAdc  
CBO  
CEO  
†
Device*  
Package  
Shipping  
CB  
E
Collector−Emitter Cutoff Current  
(V = 10 Vdc, I = 0)  
MSA1162GT1  
MSA1162GT1G  
SC−59  
3000/Tape & Reel  
3000/Tape & Reel  
−
−
−
0.1  
2.0  
1.0  
mAdc  
mAdc  
mAdc  
CE  
B
(V = 30 Vdc, I = 0)  
SC−59  
(Pb−Free)  
CE  
B
(V = 30 Vdc, I = 0, T = 80°C)  
CE  
B
A
DC Current Gain (Note 1)  
(V = 6.0 Vdc, I = 2.0 mAdc)  
h
FE  
−
MSA1162YT1  
SC−59  
3000/Tape & Reel  
3000/Tape & Reel  
CE  
C
MSA1162YT1  
MSA1162GT1  
120  
200  
240  
400  
MSA1162YT1G  
SC−59  
(Pb−Free)  
Collector−Emitter Saturation Voltage  
(I = 100 mAdc, I = 10 mAdc)  
V
−
0.5  
Vdc  
CE(sat)  
*The “T1” suffix refers to a 7 inch reel.  
C
B
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Current−Gain − Bandwidth Product  
(I = 1 mA, V = 10.0 V, f = 10 MHz)  
f
MHz  
T
80  
−
C
CE  
1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, D.C. ≤ 2%.  
1
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
Publication Order Number:  
January, 2006 − Rev. 5  
MSA1162GT1/D  
 
12

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