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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| Factory Lead Time： | 8 weeks | 风险等级： | 5.69 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.15 A | 基于收集器的最大容量： | 6 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 300 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NSVMSD1819A-RT1G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN 双极晶体管 |
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| NSVMSD42WT1G | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage NPN Bipolar Transistor |
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| NSVMSD601-RT1G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN 双极晶体管 |
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| NSVMUN2112T1G | ONSEMI |
获取价格 |
PNP 双极数字晶体管 (BRT) |
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| NSVMUN2132T1G | ONSEMI |
获取价格 |
PNP 双极数字晶体管 (BRT) |
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| NSVMUN2212T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Digital Transistors (BRT) R1 = 22 k, R2 = 22 k |
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| NSVMUN2233T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 k, R2 = 47 k |
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| NSVMUN2236T1G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN Bipolar Digital Transistor (BRT) |
|
| NSVMUN2237T1G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN Bipolar Digital Transistor (BRT) |
|
| NSVMUN5111DW1T3G | ONSEMI |
获取价格 |
双路 PNP 双极数字晶体管 (BRT) |
|
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