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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| Factory Lead Time： | 8 weeks | 风险等级： | 1.55 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 350 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 | JEDEC-95代码： | TO-236 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 40 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MMBT6520LT3G | ONSEMI |
完全替代  |
High Voltage Transistor |
|
| MMBT6520LT1G | ONSEMI |
类似代替 |
High Voltage Transistor |
|
| FMMT6520TA | DIODES |
功能相似 |
350V PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT23 |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NSVMMBTA05LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN 双极晶体管 |
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| NSVMMBTA28LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN 达林顿晶体管 |
|
| NSVMMBTH10L | ONSEMI |
获取价格 |
VHF/UHF Transistor |
|
| NSVMMBTH10LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
VHF/UHF Transistor |
|
| NSVMMBTH81LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
50 mA, 20 V PNP RF Bipolar Junction Transistor |
|
| NSVMMBTH81LT3G | ONSEMI |
获取价格 |
50 mA, 20 V PNP RF Bipolar Junction Transistor |
|
| NSVMMUN2112LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
PNP Bipolar Digital Transistor (BRT) |
|
| NSVMMUN2113LT3G | ONSEMI |
获取价格 |
PNP 双极数字晶体管 (BRT) |
|
| NSVMMUN2114LT3G | ONSEMI |
获取价格 |
PNP 双极数字晶体管 (BRT) |
|
| NSVMMUN2130LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
PNP Bipolar Digital Transistor (BRT) |
|
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