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NSVMMBT6520LT1G

更新时间： 2024-12-01 01:18:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 141K
描述
High Voltage Transistor

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NSVMMBT6520LT1G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：8 weeks风险等级：1.55
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：350 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W参考标准：AEC-Q101
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：40 MHzBase Number Matches：1

NSVMMBT6520LT1G 数据手册

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MMBT6520L,  
NSVMMBT6520L  
High Voltage Transistor  
PNP Silicon  
www.onsemi.com  
Features  
• NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101  
Qualified and PPAP Capable  
COLLECTOR  
3
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
1
BASE  
Compliant  
2
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector−Emitter Voltage  
V
V
V
−350  
Vdc  
CEO  
3
SOT−23 (TO−236)  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Base Current  
−350  
−5.0  
Vdc  
Vdc  
CBO  
EBO  
CASE 318  
STYLE 6  
1
2
I
B
−250  
−500  
mA  
Collector Current − Continuous  
I
C
mAdc  
THERMAL CHARACTERISTICS  
MARKING DIAGRAM  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR−5 Board,  
P
D
(Note 1) T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
2Z M G  
A
Derate above 25°C  
G
1
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
556  
°C/W  
q
JA  
Total Device Dissipation Alumina  
P
D
2Z = Device Code  
Substrate, (Note 2) T = 25°C  
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
A
M
= Date Code*  
Derate above 25°C  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
417  
°C/W  
°C  
q
JA  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
T , T  
J
−55 to +150  
stg  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
MMBT6520LT1G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
3000 / Tape &  
Reel  
MMBT6520LT3G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
10,000 / Tape &  
Reel  
NSVMMBT6520LT1G SOT−23  
(Pb−Free)  
3,000 / Tape &  
Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 1994  
1
Publication Order Number:  
October, 2016 − Rev. 7  
MMBT6520LT1/D  
 
12345

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NSVMMBT6520LT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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完全替代

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