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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT6520LT1G
MMBT6520LT1G PDF预览

MMBT6520LT1G

更新时间： 2024-02-14 11:13:25
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管高压PC
页数 文件大小 规格书
5页 113K
描述
High Voltage Transistor

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MMBT6520LT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.24
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：350 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：NOT SPECIFIED
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：40 MHz
Base Number Matches：1

MMBT6520LT1G 数据手册

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MMBT6520LT1G  
High Voltage Transistor  
PNP Silicon  
Features  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
http://onsemi.com  
Compliant  
COLLECTOR  
3
MAXIMUM RATINGS  
1
BASE  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector−Emitter Voltage  
V
V
V
−350  
Vdc  
CEO  
CBO  
EBO  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Base Current  
−350  
−5.0  
Vdc  
Vdc  
2
EMITTER  
I
B
C
−250  
−500  
mA  
Collector Current − Continuous  
I
mAdc  
3
SOT−23 (TO−236)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
CASE 318  
STYLE 6  
1
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
2
Total Device Dissipation FR−5 Board,  
P
D
(Note 1) T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Total Device Dissipation Alumina  
R
556  
°C/W  
MARKING DIAGRAM  
q
JA  
P
D
Substrate, (Note 2) T = 25°C  
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
2Z M G  
G
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
q
417  
°C/W  
°C  
JA  
1
T , T  
J
−55 to +150  
stg  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
2Z = Device Code  
M
= Date Code*  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
MMBT6520LT1G SOT−23 3,000 / Tape & Reel  
(Pb−Free)  
MMBT6520LT3G SOT−23 10,000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
July, 2010 − Rev. 5  
MMBT6520LT1/D  
 
12345

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MMBT6520LT1G 替代型号

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