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MMBT7002AKW-AH

更新时间： 2024-11-21 14:55:59

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小信号金氧半電晶體

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MMBT7002AKW-AH 数据手册

MMBT7002AKW-AH

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• AEC-Q101 Qualified

• Low on resistance R_DS(ON)

• Low gate threshold voltage

• Low input capacitance

Gate

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-323 Plastic Package

Source

• Halogen and Antimony Free(HAF), RoHS compliant

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Classification

Voltage Range(V)

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified

)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

I_D

± 20

Drain Current (Continuous)

300

℃

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

I_DM

800

Total Power Dissipation

P_tot

200

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

℃

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 22/03/2021 IMC1 Rev: 01

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