是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | SOT-23 | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 1 week |
风险等级: | 0.99 | 最大集电极电流 (IC): | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压: | 25 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 300 | JEDEC-95代码: | TO-236AB |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 0.3 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
MMBT6521LT1 | ONSEMI |
完全替代 |
Amplifier Transistor NPN Silicon | |
SMMBT6521LT1G | ONSEMI |
类似代替 |
NPN 双极小信号晶体管 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMBT6589T1 | ONSEMI |
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High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Switching Transistor for P | |
MMBT6589T1G | ONSEMI |
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High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Switching Transistor for P | |
MMBT6589T1G | ROCHESTER |
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1000mA, 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, CASE 318G-02, TSOP-6 | |
MMBT6703D | SWST |
获取价格 |
小信号晶体管 | |
MMBT6703DW | SWST |
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小信号晶体管 | |
MMBT672CDW | SWST |
获取价格 |
小信号晶体管 | |
MMBT7002 | SEMTECH |
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | |
MMBT7002AD | SWST |
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小信号金氧半電晶體 | |
MMBT7002ADW | SWST |
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小信号金氧半電晶體 | |
MMBT7002-AH | SWST |
获取价格 |
小信号金氧半電晶體 |