MMBT7002DW

更新时间： 2024-01-18 04:37:49

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德欧泰克 - DIOTEC		栅
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MMBT7002DW 数据手册

MMBT7002K

N-Channel Enhancement Mode FET with protected Gate

N-Kanal FET mit Gateschutzdiode – Anreicherungstyp

Version 2011-02-01

Power dissipation – Verlustleistung

350 mW

2.9^±0.1

1.1

Plastic case

Kunststoffgehäuse

SOT-23

(TO-236)

0.4

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions - Maße [mm]

1 = G 2 = S 3 = D

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

MMBT7002K

60 V

Drain-Source-voltage – Drain-Source-Spannung

Gate-Source-voltage – Gate-Source-Spannung

V_DSS

ESD

V_GSS

± 20 V

± 2 kV

Power dissipation – Verlustleistung

P_tot

I_D

350 mW

115 mA

800 mA

Drain current continuos – Drainstrom (dc)

Drain current pulsed – Drainstrom gepulst

t_p< 10 µs

I_DM

Operating Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

150°C

-55…+150°C

http://www.diotec.com/

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