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MMBT7002KD

更新时间： 2024-11-25 14:55:07

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小信号金氧半電晶體

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MMBT7002KD 数据手册

MMBT7002KD

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Low on resistance R_DS(ON)

• Low gate threshold voltage

• Low input capacitance

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Q1: 1. Source 2. Gate 6. Drain

Q2: 4. Source 5. Gate 3. Drain

SOT-26 Plastic Package

Classification

Voltage Range(V)

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Application

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified) (Q1/Q2)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain Source Voltage

Gate Source Voltage

Drain Current

V_DS

V_GS

I_D

± 20

300

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

I_DM

Power Dissipation ²⁾

P_tot

350

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

℃

Thermal Resistance Ratings (Q1/Q2)

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

357

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)

℃/W

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 20/07/2023 Rev:04

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