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MMBT7002KDW

更新时间： 2024-11-25 14:52:27

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小信号金氧半電晶體

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MMBT7002KDW 数据手册

MMBT7002KDW

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Low on resistance R_DS(ON)

• Low gate threshold voltage

• Low input capacitance

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Classification

Voltage Range(V)

Q1: 1.Source 2.Gate 6.Drain

Q2: 4.Source 5.Gate 3.Drain

SOT-363 Plastic Package

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)(Q1/Q2)

Parameter

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 20

300

1.2

Drain Current (Continuous)

Drain Current (Pulse Width ≤ 10 µs)

I_DM

295 ¹⁾

350²⁾

Total Power Dissipation

P_tot

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

℃

Thermal Resistance Ratings(Q1/Q2)

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

423 ¹⁾

Thermal Resistance from Junction to Ambient

℃

357 ²⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

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Dated: 13/02/2023 Rev:06

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