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MMBT7002PW

更新时间： 2023-12-06 20:06:16

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小信号金氧半電晶體

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MMBT7002PW 数据手册

MMBT7002PW

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-323 Plastic Package

Drain

Gate

Source

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Value

Unit

Gate-Source Voltage - Continuous

Drain Current - Continuous

± 20

300

1.2

Pulsed Drain Current (tp ≤ 10 μs)

Total Power Dissipation ¹⁾

I_DM

P_tot

200

125

150

℃/W

℃

Thermal Resistance from Juntion to Ambient

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

R_θJA

T_j

T_stg

- 55 to + 150

℃

^{1 )}Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard footprint.

Dated: 20/11/2017 Rev: 01

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