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MMBT7002K

更新时间： 2023-12-06 20:10:11

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描述
小信号金氧半電晶體

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MMBT7002K 数据手册

MMBT7002K

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Low on resistance R_DS(ON)

• Low gate threshold voltage

• Low input capacitance

Gate

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 2

1.Gate 2.Source 3.Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

Classification Voltage Range(V)

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Application

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified

)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DSS

V_GSS

I_D

± 20

Drain Current (Continuous)

300

Drain Current (Pulse Width ≤ 10 µs)

Total Power Dissipation ¹⁾

I_DM

1.5

P_tot

350

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Value

357

Unit

Thermal Resistance-Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

℃/W

1 / 6

Dated: 28/04/2023 Rev:10

12 3 4 5 6

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