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MMBT7002VW

更新时间： 2024-10-01 14:54:11

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小信号金氧半電晶體

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MMBT7002VW 数据手册

MMBT7002VW

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Low on resistance R_DS(ON)

• Low gate threshold voltage

• Low input capacitance

• Typical ESD Protection HBM Class 1B

Gate

Classification

Voltage Range(V)

< 125

Source

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-323 Plastic Package

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified

)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

I_D

± 20

Drain Current (Continuous)

300

℃

Drain Current (Pulse Width ≤ 10 µs)

Total Power Dissipation ¹⁾

I_DM

800

P_tot

350

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

357

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

℃

1 / 6

Dated: 26/09/2022 Rev:04

12 3 4 5 6

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