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MMBT706

更新时间: 2024-11-05 20:53:43
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC /
页数 文件大小 规格书
1页 45K
描述
TRANSISTOR,BJT,NPN,15V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-236

MMBT706 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.92
最大集电极电流 (IC):0.1 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):20JESD-609代码:e0
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.35 W
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)标称过渡频率 (fT):200 MHz
Base Number Matches:1

MMBT706 数据手册

  
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer  

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