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MMBT7002V-HAF

更新时间： 2023-12-06 20:02:31

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小信号金氧半電晶體

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MMBT7002V-HAF 数据手册

MMBT7002V-HAF

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features

Drain

• Low on resistance R_DS(ON)

• Low gate threshold voltage

• Low input capacitance

Gate

• ESD protected up to 1KV

• Halogen and Antimony Free(HAF), RoHS compliant

1.Gate 2.Source 3.Drain

Source

SOT-23 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 20

Drain Current (Continuous)

300

℃

Drain Current (Pulse Width ≤ 10 µs)

Total Power Dissipation

I_DM

800

P_tot

350

Operating and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

BV_DSS

Min.

Max.

Unit

Drain Source Breakdown Voltage

at I_D= 10 µA

Zero Gate Voltage Drain Current

at V_DS= 60 V

Gate Source Leakage Current

at V_GS= ± 20 V

Gate Threshold Voltage

at V_DS= 10 V, I_D= 250 µA

µA

I_DSS

I_GSS

± 10

2.5

V_GS(th)

Static Drain Source On-Resistance

at V_GS= 10 V, I_D= 500 mA

at V_GS= 4.5 V, I_D= 200 mA

3.75

R_DS(ON)

Ω

Forward Transconductance

at V_DS= 10 V, I_D= 200 mA

Input Capacitance

at V_DS= 25 V, f = 1 MHz

Output Capacitance

at V_DS= 25 V, f = 1 MHz

Reverse Transfer Capacitance

at V_DS= 25 V, f = 1 MHz

g_fs

C_iss

C_oss

C_rss

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Dated: 02/06/2020 Rev:01

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