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MMBT7002K-CH

更新时间： 2024-11-21 14:55:39

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小信号金氧半電晶體

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MMBT7002K-CH 数据手册

MMBT7002K-CH

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• AEC-Q101 Qualified

• Low on resistance R_DS(ON)

• Low gate threshold voltage

• Low input capacitance

Gate

• Built-in G-S Protection Diode

• Halogen and Antimony Free(HAF), RoHS compliant

• Typical ESD Protection HBM Class 2

1.Gate 2.Source 3.Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

Classification Voltage Range(V)

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Application

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

± 20

T_a= 25℃

T_a= 85℃

380

270

Drain Current (Steady State 1sq in pad) ¹⁾

Drain Current (Steady State Minimum pad) ²⁾

I_D

T_a= 25℃

320

230

T_a= 85℃

Peak Drain Current, Pulsed (t_p= 10 µs)

Total Power Dissipation ²⁾

1.5

350

℃

I_DM

P_tot

Operating and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Value

357

Unit

Thermal Resistance-Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

℃/W

1 / 6

Dated: 08/03/2023 Rev:01

12 3 4 5 6

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