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MMBT7002W

更新时间： 2024-11-06 14:56:03

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先科 - SWST		/
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6页	305K
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小信号金氧半電晶體

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MMBT7002W 数据手册

MMBT7002W

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Surface-mounted package

• Advanced trench cell design

Gate

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-323 Plastic Package

Source

Applications

• Portable appliances

• Battery management

• High speed switch

• Low power DC to DC Converter

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain Source Voltage

V_DSS

V_DGR

Drain Gate Voltage (R_GS 1 MΩ)

Continuous

Pulsed

± 20

± 40

Gate Source Voltage

V_GSS

Drain Current - Continuous

Peak Drain Current, Pulsed

Total Power Dissipation

Junction Temperature

I_D

I_DM

P_tot

T_j

115

800

200

℃

150

Storage Temperature Range

T_Stg

- 55 to + 150

℃

1 / 6

Dated: 10/07/2020 Rev: 03

12 3 4 5 6

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