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MMBT7292K

更新时间： 2024-10-01 14:56:03

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6页	715K
描述
小信号金氧半電晶體

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MMBT7292K 数据手册

MMBT7292K

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Low on resistance R_DS(ON)

• Low gate threshold voltage

• Low input capacitance

• ESD protected up to 2KV

Gate

1.Gate 2.Source 3.Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

V_DSS

V_GSS

I_D

± 20

Gate-Source Voltage

Drain Current (Continuous)

300

Drain Current (Pulse Width ≤ 10 µs)

Total Power Dissipation

I_DM

800

P_tot

350

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Value

357

Unit

Thermal Resistance-Junction to Ambient ¹⁾

℃/W

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

1 / 6

Dated: 08/09/2020 Rev: 02

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