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MMBT7073D

更新时间: 2024-11-06 14:55:55
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先科 - SWST 晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 1147K
描述
小信号晶体管

MMBT7073D 数据手册

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MMBT7073D  
Complementary NPN / PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors  
6
5
4
TR2  
TR1  
1
2
3
TR1: 1. Emitter 2. Base 6. Collector  
TR2: 4. Emitter 5. Base 3. Collector  
SOT-26 Plastic package  
Maximum Ratings (Ta = 25 )TR1  
Parameter  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
V
Collector Base Voltage  
Collector Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
Collector Current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
50  
V
7
V
150  
mA  
Maximum Ratings (Ta = 25 )TR2  
Parameter  
Symbol  
-VCBO  
-VCEO  
-VEBO  
-IC  
Value  
60  
Unit  
V
Collector Base Voltage  
Collector Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
Collector Current  
50  
V
7
V
150  
mA  
Maximum Ratings (Ta = 25 )TR1 & TR2  
Parameter  
Symbol  
Ptot  
Value  
200  
Unit  
mW  
/W  
Total Power Dissipation  
Thermal Resistance from Junction to Ambient 1)  
Junction Temperature  
RθJA  
Tj  
500  
125  
Storage Temperature Range  
Tstg  
- 55 to + 125  
1)  
Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.  
®
1 / 6  
Dated18/08/2023 Rev: 02  

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